半导体的四个主要特性有哪些？

Question

如题所述

Answer 1

半导体的四个特性：电阻率的负温度特性、光照导电效应、光伏现象、整流效应。
1833年，法拉第发现了硫化银的电阻随着温度的变化而显现出的特性与一般金属不同。通常情况下，金属的电阻随温度升高而增加，法拉第发现硫化银的电阻随着温度的上升而降低。这是人类首次发现的半导体现象。
1839年，法国科学家亚历山大·贝克雷尔（Alexandre Edmond Becquerel）发现了光伏现象。那是一个半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生电压，这是半导体的第二个特征。
1873年，英国科学家史密斯（W.Smith）发现了硒晶体材料在光照下电阻减弱的现象，这是半导体第三个特性。
1880年，半导体的霍尔效应被发现。
1874年，德国的布劳恩（Ferdinand Braun）发现了硫化物半导体的整流效应。同年，氧化铜的整流效应也被发现。

Answer 2

半导体的四个主要特性包括：
电阻率：半导体的电阻率介于导体和绝缘体之间，即在一定条件下可以表现出导电性，但又不像导体那样非常良好地导电。
负温度系数：半导体的电阻率随温度的变化而变化，通常随温度的升高而减小，这种特性称为负温度系数。
光电效应：半导体材料在受到光照射时会产生光生载流子，从而表现出光电导特性，这种特性被广泛应用于光电器件中。
能隙：半导体材料具有一个能隙，即价带和导带之间的能量差，这决定了半导体的导电性能和光电特性。