掺杂有几种方式,能掺杂什么,对器件性能有什么影响？

Question

如题所述

Answer 1

掺杂是将少量杂原子（掺杂剂）引入半导体中，以改变其电学性质的一种方法。常见的掺杂方式有四种：

离子注入：使用加速器将高能离子注入半导体晶片中；
扩散法：将含有所需杂原子的气体或液体在高温下与半导体反应，使杂原子扩散到半导体内部形成浓度分布；
气相外延法：将所需杂原子的气体混合在载气中，通过热解反应使杂原子沉积在半导体表面上形成薄膜；
分子束外延法：使用分子束而非气体来沉积杂原子。
常用的掺杂元素有五种：硼、磷、锑、铝和镓，它们的掺杂可使半导体形成P型或N型半导体。掺杂对器件性能的影响因具体情况而异，但通常会改变半导体的导电性、载流子浓度、电导率等重要参数，从而影响半导体器件的电特性。