二极管伏安特性曲线问题（鄙视粘贴狂人）
大家都知道二极管正向导通曲线是非线性的，这是为什么呢？
除温度外它与材料有什么关系。和肖特基二级管比肖特基二极管正向压降明显比si管小，为什么？受什么决定的呢？
谁能帮忙解释下，能带，能级，禁带宽度什么的都行，本人就是想不明白关连不上。
金属半导体接触反阻挡层两侧是不是有电势差，里面是不是有电场啊？
按照我目前的理解，我认为金属和n型半导体接触如果产生肖特基势垒 形成的pn结正向导通压降是不是比金属和p型接触的小？
并且反响饱和电流比金属和p型接触的要大？
满意的话可以多加分！
二极管的伏安特性是指流过二极管的电流iD与加于二极管两端的电压uD之间的关系或曲线。用逐点测量的方法测绘出来或用晶体管图示仪显示出来的U～I曲线，称二极管的伏安特性曲线。下图 是二极管的伏安特性曲线示意图，依此为例说明其特性。
一、正向特性
由图可以看出，当所加的正向电压为零时，电流为零；当正向电压较小时，由于外电场远不足以克服PN结内电场对多数载流子扩散运动所造成的阻力，故正向电流很小（几乎为零），二极管呈现出较大的电阻。这段曲线称为死区。
当正向电压升高到一定值Uγ（Uth ）以后内电场被显著减弱，正向电流才有明显增加。Uγ 被称为门限电压或阀电压。Uγ视二极管材料和温度的不同而不同，常温下，硅管一般为0.5V左右，锗管为0.1V左右。在实际应用中，常把正向特性较直部分延长交于横轴的一点，定为门限电压Uγ的值，如图中虚线与U轴的交点。
当正向电压大于Uγ以后，正向电流随正向电压几乎线性增长。把正向电流随正向电压线性增长时所对应的正向电压，称为二极管的导通电压，用UF来表示。通常，硅管的导通电压约为0.6～0.8V （一般取为0.7V），锗管的导通电压约为0.1～0.3V （一般取为0.2V）。
二、反向特性
当二极管两端外加反向电压时，PN结内电场进一步增强，使扩散更难进行。这时只有少数载流子在反向电压作用下的漂移运动形成微弱的反向电流IR。反向电流很小，且几乎不随反向电压的增大而增大（在一定的范围内），如图Z0111中所示。但反向电流是温度的函数，将随温度的变化而变化。常温下，小功率硅管的反向电流在nA数量级，锗管的反向电流在μA数量级。
三、反向击穿特性
当反向电压增大到一定数值UBR时，反向电流剧增，这种现象称为二极管的击穿，UBR（或用VB表示）称为击穿电压，UBR视不同二极管而定，普通二极管一般在几十伏以上且硅管较锗管为高。
击穿特性的特点是，虽然反向电流剧增，但二极管的端电压却变化很小，这一特点成为制作稳压二极管的依据。
其中那个Js是我们一个定义的参数，叫它理想反向饱和电流。Js=[e*Dp*p0/Lp + e*Dn*n0/Ln],如果学过半导体物理的话，就能看出来这个Js是和材料有关的。
肖特基二极管比pn结二极管（就是你说的si管）正向压降（就是有效开启电压）小，是因为肖特基二极管的理想反向饱和电流值比pn结二极管的大几个数量级。
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你说的这个补充问题，我没太理解，肖特基二极管就是指金属和n型半导体接触形成的， 因为肖特基二极管的电流主要取决于多数载流子电子的流动，如果你让金属和p型半导体接触，它怎么可能导电啊……本回答被提问者采纳