原理揭示：金属与半导体的亲密接触
肖特基二极管，一个以卓越科学家肖特基博士的名字命名的电子元件，其独特的构造基于金属与N型半导体的接触，而非PN结。SBD，即Schottky Barrier Diode，凭借其表面势垒效应，成为热载流子二极管的典范。它的工作原理在于，A端的贵金属（如金、银）与B端的N型半导体间形成势垒，电子从电子丰富的N型半导体向稀疏的金属迁移，形成稳定的势垒区域，这就是肖特基势垒的形成过程。
内部结构与功能特性
肖特基整流管内部，N型半导体基片上覆盖有掺杂砷的N-外延层，阳极采用钼或铝等材料，通过二氧化硅层增强耐压性能。当正向偏压施加时，势垒宽度减小，内阻减小，反之，反向偏压则会使势垒变宽，内阻增大。这种结构使得肖特基二极管在高频和低电压应用中展现出优越性能。
优势与挑战并存
SBD以高开关频率和低正向压降为优点，但反向击穿电压通常较低，限制了其在某些高压应用中的使用，比如高频电源和功率因数校正电路。尽管如此，随着技术的进步，150V和200V的高压SBD已经问世，突破了传统的局限。
不足与改进
肖特基二极管的主要缺点是反向偏压和漏电流问题，特别是在高温环境下，其反向漏电流会显著增加。为避免热失控，实际使用中需谨慎处理。不过，现代肖特基二极管技术的进步已使其反向偏压额定值提升到200V，为性能提升提供了可能。
与普通二极管的对比
与传统二极管相比，肖特基二极管的优越性在于低正向压降、快速反向恢复、低损耗和高频率响应。在微波通信和雷达技术中，肖特基二极管展现出了在混频、检波、高频开关等方面的卓越性能。
总结来说，肖特基二极管凭借其独特优势，已经在众多领域找到了其不可替代的地位，但持续的技术创新和优化仍然是推动其性能提升的关键。