PMOS管应用原理
（1）
（2）
如图（1）所示：PMOS管的正确接法是从S 极输入，D极输出；而从D极输入，S极输出，则会失去开关作用；
图（2）所示：PMOS管起隔离作用，A可以到达B，B不能到达A , 此时就出现了从D极输入，S极输出，即图（1）中所说 ----已经失去了开关作用。
问题1：既然PMOS管从D极输入，S极输出，已经失去了开关作用，那么PMOS管还会像图（2）中所说的那样，给G极加一个适当的电压，饱和导通吗？（这样图2和图1不就矛盾了吗!）
问题2：有些资料原理图中也有出现，运用 PMOS管是从D极到S极实现导通，电流是从D极到S极（也和图1中所说的原理相矛盾），这让我很疑惑。
请大师帮忙耐心解释一下PMOS的运用原理！谢谢!
PMOS管应用原理
PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。
与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是
VGS<VTN (NMOS)，
VGS>VTP (PMOS)，
值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。
PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10～12V就能满足PMOS对输入电平的要求。
MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。
各种场效应管特性比较
在2004年12月的国际电子器件会议(IEDM)上表示：双应力衬垫(DSL)方法导致NMOS和PMOS中的有效驱动电流分别增加15%和32%，饱和驱动电流分别增加11%和20%。PMOS的空穴迁移率在不使用SiGe的情况下可以提高60%，这已经成为其他应变硅研究的焦点。
PMOS管
pmos PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管 全称 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor 别名 ： positive MOS
工作原理：
PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。
当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。
简介：
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类。
P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有足够的负电压(源极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管--晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。
本回答被网友采纳问题二：确实存在PMOS从D到S的应用情况，主要用途是防反接的作用且有大电流需求的电源支路常用到这种使用方法。利用体二极管的正向导通，可以防反接对内部电路的损坏，好处包括体二极管几乎没有导通电压，通流能力大，可防反，上电瞬间不需控制直接导通。
2，我们假设一下电流D入，S出，如果MOS初始状态是截至。也就是S=0，D=Vcc
那麼除非你G=负压，才能启动，启动後S=Vcc，此时你G如何控制呢？所以有问题
如果S入，D出。 初始截至， S=Vcc，D=0，只要把G低於Vcc，达到VGs开启电压即可导通，导通後S因为是Vcc不会随导通电压变化。所以只要维持G的电压，就可以维持PMOS工作来自：求助得到的回答本回答被提问者和网友采纳
PMOS：n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管