场效应管是一种独特的电压控制电子元件，其工作原理主要依赖于VGS(栅源电压)，通过改变这个电压值，可以直接调控其ID（漏极电流）的大小，这体现了其高度的电压敏感性。
场效应管的一大特性在于其输入端特性，输入电流极小，这意味着它的输入电阻非常高，这对于信号处理和噪声抑制具有显著优势，能有效隔离输入信号与电路的干扰。
与传统放大器使用的三极管不同，场效应管利用多数载流子进行导电，这使得它在高温环境下的性能相对稳定，不易受到温度变化的影响，具有较好的温度稳定性。
在放大电路的应用中，场效应管的电压放大系数通常低于由三极管构成的放大电路，这意味着它可能不是放大电路的理想选择，但其其他性能优势可能在特定场合下更具优势。
此外，场效应管还表现出出色的抗辐射性能，能在电磁干扰环境下保持正常工作，这对于需要稳定信号传输的电子设备非常重要。
最后，场效应管的一个重要优点是其低噪声特性，由于它不依赖少子扩散，所以散粒噪声较小，有助于提供更清晰、准确的信号传输。
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。