金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域.金属-半导体作为一个整体在热平衡时有同样费米能级.由半导体到金属,电子需要克服势垒;而由金属向半导体,电子受势垒阻挡.在加正向偏置时半导体一侧的势垒下降;相反,在加反向偏置时,半导体一侧势垒增高.使得金属-半导体接触具有整流作用(但不是一切金属-半导体接触均如此.如果对于P型半导体,金属的功函数大于半导体的功函数,对于N型半导体,金属的功函数小于半导体的功函数,以及半导体杂质浓度不小于10^19/立方厘米数量级时会出现欧姆接触,它会因杂质浓度高而发生隧道效应,以致势垒不起整流作用).当半导体均匀掺杂时肖特基势垒的空间电荷层宽度和单边突变P-N结的耗尽层宽度相一致利用金属半导体接触制作的检波器很早就应用于电工和无线电技术之中，如何解释金属半导体接触时表现出的整流特性，在20世纪30年代吸引了不少物理学家的注意。德国的W.H.肖脱基、英国的N.F.莫脱、苏联的Б.И.达维多夫发展了基本上类似的理论，其核心就是在界面处半导体一侧存在有势垒，后人称为肖脱基势垒,图2示意地说明如何用肖脱基势垒模型解释整流特性,其中J代表金属中电子越过势垒ψm热发射到半导体中的电流,J代表半导体中的电子越过势垒qV热发射到金属中的电流。图2a表示没有外加电压的平衡情况,J与J相抵,总电流为零。图2b表示正向偏压的情况，这时半导体侧势垒高度降低,J（同时也是总电流）随外加电压指数增长。图2c表示加反向偏压的情况，势垒高度qV增加,J随外加电压指数减小,总电流趋向饱和值J。
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