为什么处理器半导体硅制成后才掺杂,不是在制作硅晶时?

如题所述

一般情况下,在硅元器件的生产工艺中,通过对硅片的扩散掺杂或外延进行严格控制(形成P区或N区),以达到器件所需的要求。这一步很难在制作硅晶时做到,因为这时的掺杂浓度和均匀性都很难准确控制。
所以,在制作硅晶时,如果不考虑成本的话,使硅晶越纯净越好。追问

硅片成型之后再掺杂,扩散只能在表面进行吧。

追答

通俗地讲,
扩散:是从硅片表面向硅片的内表层“渗入”杂质离子;
外延:是从硅片表面向硅片的外面生长新的材料层(同质材料或异质材料)。

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