用数字万用表检测电容器，可按以下方法进行：
1、用电容档直接检测
某些数字万用表具有测量电容的功能，其量程分为2000p、20n、200n、2μ和20μ五档。测量时可将已放电的电容两引脚直接插入表板上的Cx插孔，选取适当的量程后就可读取显示数据。
000p档，宜于测量小于2000pF的电容；20n档，宜于测量2000pF至20nF之间的电容；200n档，宜于测量20nF至200nF之间的电容；2μ档，宜于测量200nF至2μF之间的电容；20μ档，宜于测量2μF至20μF之间的电容。
经验证明，有些型号的数字万用表（例如DT890B＋）在测量50pF以下的小容量电容器时误差较大，测量20pF以下电容几乎没有参考价值。此时可采用串联法测量小值电容。方法是：先找一只220pF左右的电容，用数字万用表测出其实际容量C1,然后把待测小电容与之并联测出其总容量C2，则两者之差（C1－C2）即是待测小电容的容量。用此法测量1～20pF的小容量电容很准确。
2、用电阻档检测
实践证明，利用数字万用表也可观察电容器的充电过程，这实际上是以离散的数字量反映充电电压的变化情况。设数字万用表的测量速率为n次/秒，则在观察电容器的充电过程中，每秒钟即可看到n个彼此独立且依次增大的读数。根据数字万用表的这一显示特点，可以检测电容器的好坏和估测电容量的大小。下面介绍的是使用数字万用表电阻档检测电容器的方法，对于未设置电容档的仪表很有实用价值。此方法适用于测量0.1μF～几千微法的大容量电容器。
1.测量操作方法
如图所示，将数字万用表拨至合适的电阻档，红表笔和黑表笔分别接触被测电容器Cx的两极，这时显示值将从“000”开始逐渐增加，直至显示溢出符号“1”。若始终显示“000”，说明电容器内部短路；若始终显示溢出，则可能时电容器内部极间开路，也可能时所选择的电阻档不合适。检查电解电容器时需要注意，红表笔（带正电）接电容器正极，黑表笔接电容器负极。
2.测量原理
用电阻档测量电容器的测量原理如图5-11（b）所示。测量时，正电源经过标准电阻R0向被测电容器Cx充电，刚开始充电的瞬间，因为Vc ＝0，所以显示“000”。随着Vc 逐渐升高，显示值随之增大。当Vc ＝2VR 时，仪表开始显示溢出符号“1”。充电时间t为显示值从“000”变化到溢出所需要的时间，该段时间间隔可用石英表测出。
3.使用DT830型数字万用表估测电容量的实测数据
使用DT830型数字万用表估测0.1μF～几千微法电容器的电容量时，可按照表5-1选择电阻档，表中给出了可测电容的范围及相对应的充电时间。表中所列数据对于其他型号的数字万用表也有参考价值。
选择电阻档量程的原则是：当电容量较小时宜选用高阻档，而电容量较大时应选用低阻档。若用高阻档估测大容量电容器，由于充电过程很缓慢，测量时间将持续很久；若用低阻档检查小容量电容器，由于充电时间极短，仪表会一直显示溢出，看不到变化过程。
3、用电压档检测
用数字万用表直流电压档检测电容器，实际上是一种间接测量法，此法可测量220pF～1μF的小容量电容器，并且能精确测出电容器漏电流的大小。
感应电流流过电容表上BNC 连接器(如果使用) 的外屏蔽，这一电流用于平衡电容表的测量电流。如果外屏蔽接地，感应电流就短路到地，电桥就可能无法平衡。许多用户都没有意识到这个问题。
测量晶圆片卡盘上半导体晶圆片的电容与测量分立器件有很大不同。不能忽略晶圆片探测器卡盘对测量的影响。
对于较高的测量频率(> 5 MHz)，结构(布局) 设计对测量成败有极大影响。我们将在这一章(相当长的一章 ！！！哈哈) 中详细说明这些问题。
MOSFET 电容测量
MOSFET 电容行为评述
在深入探讨电容测量理论之前，首先回顾 MOSFET 器件的工作原理，从而了解为什么要进行这些测量。虽然本章中讨论的电容测量是普遍性的， 适用于各种不同类型的器件，但鉴于MOSFET 在现代电子学所占有的统治地位，因此我们要花一节介绍它们的工作特性。
MOSFET 是与施加电压相关的电容器。 MOSFET 的栅极至衬底的电容取决于所施加的直流电压(我们在直流电压上叠加幅度小得多的交流电压进行 测量)。下面一组图显示施加到栅极上的电压从负值变到正值时NMOS 晶体管的行为。
如果硅基体保持地电位和栅极加负电压，MOS 电容将开始在硅表面存储正电荷。表面将有比Na (受主密度) 高的空穴密度，这一条件称为表面积累。在此条件下氧化层两面的移动电荷能迅速响应施加电压的变化，器件就如同是一个厚度为tox 的平板电容器。由于它是一个纯栅极氧化层电容，我们用Cox 表示它的值。
如果栅极上施加的电压相对硅为正，栅极与硅基体之间的正电压将增 加。随着更多受主暴露于硅基体表面，硅基体表面的载流子被进一步耗尽， 从而产生所谓表面耗尽条件。对这种条件的静电分析表明总 MOS 电容是Cox 和整个表面耗尽区电容Cd 的串联组合。注意Cd 与施加电压有关。
如果正的栅极电压进一步增加，那么能带将在硅基体水平上显著弯曲。此时耗尽区达到最大宽度xdmax，耗尽区中的所有电子受主都完全被电离。表面区产生的载流子超过重组，所产生的电子通过电场掠过因硅导电层和氧化层间能量势垒而保留的氧化层－硅界面。因此硅基体上的总电荷就是这两种电荷的和。静电分析再次表明可为总 MOS 电容建模，即串联的氧化层电容，并联的耗尽电容，以及表面电荷电容Ci 与耗尽电阻的串联组合。