抑制性突触后电位（ipsp）-
突触后膜的膜电位在递质作用下发生超极化改变。
*
epsp产生的离子机制
(
突触后膜
-
na+，这种电位变化称为ipsp.
*
ipsp产生的离子机制
(突触后膜
-
cl-
内流
-
超极化)
突触后神经元的胞体好似一个整合器，突触后膜的电位改变取决于同时产生的epsp与ipsp的代数和1.
兴奋性突触后电位（epsp）-
突触后膜的膜电位在递质作用下发生去极化改变，导致该神经元对其它刺激的兴奋性增高，这种电位变化称为epsp，当后膜电位去极化到阈电位水平，在比较细小的轴突始段引发扩布性动作电位。
突触后抑制
（postsynaptic
inhibition）
-
抑制性中间神经元释放抑制性神经递质，导致该神经元对其它刺激的兴奋性降低,
k+内流
-
去极化)
2.是突触后膜产生的局部兴奋，可以发生总和
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