如题所述
根本区别在于基础检出信号不同。以及相应的电路和构造不同。
电容式变送器的基础信号是电容量;
扩散硅变送器的基础信号是电阻值。
电容式在压力作用下敏感元件的膜片发生位移,导致膜片与相邻电极构成的电容量发生变化而检出压力;
扩散硅在压力作用下敏感元件的膜片发生位移,产生的力作用在扩散硅材料商,使扩散硅的阻值变化而检出压力。
电容式利用的是物理性质,所以主要受制造水平的限制;
扩散硅利用的是材料的物理性质,所以受材料影响较大。
扩散硅在体积、价格上有优势;但受扩散硅材料的稳定性影响,寿命的精度较差。