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晶闸管的通态电流上升率过大
rc保护电路已知
可控硅
200A的电容是0.1UF,求电阻大小功率
答:
在实际晶闸管电路中,常在其两端并联RC串联网络,该网络常称为RC阻容吸收电路。我们知道,晶闸管有一个重要特性参数-断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下,使晶闸管从断态转入
通态
的最低电压上升率。若电压
上升率过大
,超过了
晶闸管的
电压上升率的值,则会在无门极信号...
电力电子题!
答:
2、断态电压上升率du/dt。原因:当
晶闸管
关断时,如果其两端电压
上升率过大
,超过晶闸管所能承受的临界电压上升率,晶闸管就会由断态转换为
通态
,使晶闸管误导通。(这个我不是很确定,找不到很确切的信息,不过这个答案应该不能算是错的。)3、在晶闸管关断时,为负载
电流
提供流通回路。4、静态均压措施...
怎样检测
可控硅
模块
答:
可控硅(SCR)国际通用名称为Thyyistoy,中文简称晶闸管。它能在高电压、大
电流
条件下工作,具有耐压高、容量大、体积小等优点,它是大功率开关型半导体器件,广泛应用在电力、电子线路中。 1.
可控硅的
特性。可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1(...
为什么pwm里由一个
晶闸管
和一个二极管共同组成桥臂
答:
1、 缓冲电路的作用与基本类型 电力电子器件的缓冲电路(snubber circuit)又称吸收电路,它是电力电子器件的一种重要的保护电路,不仅用于半控型器件的保护,而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的应用技术中起着重要的作用。
晶闸管
开通时,为了防止
过大的电流上升率
而烧坏器件,往往在主...
中频炉的中央控制板上右上角那个铅色的带有槽的铁块是什么元件,起什么...
答:
此时若仍在额定电流下工作, 流过其它几个桥臂的
电流过大
, 会缩短
晶闸管的
寿命。一般缺相后, 输出功率只能达到60kW。 b. 感应圈匝间或对地存在不完全短路。随着中频电压的
升高
、功率的增大, 变为完全短路, 于是在某一中频电压上因短路出现过流, 因而功率上不去。 c. 截流截压电路出现故障, 未达到整定值便...
什么叫软启动?是改变电压还是
电流
还是频率?
答:
(1)无冲击
电流
。软启动器在起动电机时,通过逐渐增大
晶闸管
导通角,使电机起动电流从零线性
上升
至设定值。对电机无冲击,提高了供电可靠性,平稳起动,减少对负载机械的冲击转矩,延长机器使用寿命。 (2)有软停车功能,即平滑减速,逐渐停机,它可以克服瞬间断电停机的弊病,减轻对重载机械的冲击,避免高程供水系统的水锤效应,...
GTO
晶闸管的
开通和关断原理
答:
当GTO在门极正触发信号的作用下开通时,只有阳极
电流
大于擎住电流后,GTO才能维持大面积导通。{{分页}} 由此可见,只要能引起α1和α2变化,并使之满足α1+α2>1条件的任何因素,都可以导致PNPN4层器件的导通。所以,除了注入门极电流使GTO导通外,在一定条件下过高的阳极电压和阳极电压
上升率
du/dt...
simulink
晶闸管
参数
答:
晶体管在室温和6V DC阳极电压下从阻塞到完全打开所需的最小栅极直流
电流
。门触发电压UGT:与门触发电流对应的电压。关
态
电压临界
上升率
Du/dt:器件在门极开路条件下从关态到开态的最低电压上升率。导通电流临界上升率di/dt:当闸极触发
晶闸管
使其导通时,能够承受而不损坏的导通电流的最大上升率。
XMTE_908B接BTA41800B双向
可控硅
,T1串接电炉丝接火线,T2接零线和908B...
答:
由于在电路中可能偶然出现较大的瞬时过电压而损坏晶闸管,在实际电力电子变换和控制电路设计和应用中,通常按照电路中晶闸管正常工作峰值电压的2~3倍的电压值选定为
晶闸管的
额定电压,以确保足够的安全电量。 (2)
通态
峰值电压UTM。规定为额定
电流
时的管压降峰值, 一般为1.5~2.5V,且随阳极电流的增大而略微增加。额定...
晶闸管的
特殊的晶闸管
答:
控制极触发小晶闸管后,小
晶闸管的
初始导通电流将横向经过硅片流向主晶闸管阴极,触发主晶闸管。从而实际强触发,加速了元件的导通,提高了耐
电流上升率
的能力。三、能耐较高的电压上升率(dv/dt)晶闸管是由三个P—N结组成的。每个结相当于一个电容器。结电压急剧变化时,就有
很大
的位移电流流过元件,它等效于控制极触发...
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