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晶闸管的通态电流上升率过大
晶闸管
模块工作时高di/dt时需注意事项?
答:
晶闸管的
开通临界
电流上升率
,反映了器件的大电流迅速开通能力。提高晶闸管的临界电流上升率,对于用户使用有重要的意义。(1)晶闸管的高di/dt,可以在许多场合省去了串联在晶闸管上的保护电感线圈,简化了整机设计,减小了设备成本。(2)在并联逆变工作线路中,晶闸管的高di/dt性能可使设计者减小晶闸管的换流时间...
智慧树知到《电力电子技术(哈尔滨职业技术学院)》2022见面课答案_百度...
答:
正确答案:相位控制方式 7、通过晶闸管的通态电流上升率过大,
可能会造成晶闸管因局部过热而损坏,而加到晶闸管阳极上的电压上升率过大
,了能会造成晶闸管的()。A.误导通 B.短路 C.失控 D.不能导通 正确答案:失控 1、在交流电源的正半周区间,晶闸管VS1和VS4会承受正向电压而导通,晶闸管VS2和VS3...
晶闸管的 通态电流
临界
上升率
di/dt,是啥意思啊? 衡量的是晶闸管导通前...
答:
导通过程中的电流变化率。当
晶闸管
加上触发信号后, 从断态到
通态
有一个电流扩展过程, 最初只有很小一部分紧靠门极的阴极区域开通, 随后初始导通区以0.1mm/μs 速度扩展到整个阴极面。若初始导通面积过小,
电流上升率
又太大, 则电流密度过高, 致使该区域的结温急剧上升, 造成器件烧毁。因此, 对晶...
晶闸管
采用强触发时为什么提高了管子承受
电流上升率
的能力?
答:
提高晶闸管门极触发能量能够提高
晶闸管的
开通速度(就是门极到整个阴极的开通),也就提高了晶闸管的di/dt(
电流上升率
)因为晶闸管的di/dt损坏就是因为晶闸管的开通速度跟不上主
电流的
上升率(di/dt)而导致主电流聚集在局部区域导致芯片过热损坏。除了采用强触发,使用放大门极,增加晶闸管门极图案的周长都...
可控硅
知道工作原理不会用?这几种可控硅应用电路你必须要学会_百度知 ...
答:
打开常闭的“OFF”按钮,S 2断开电路,将流过
晶闸管的
电路
电流
降至零,从而迫使它“关闭”,直到再次应用另一个门信号。替代直流晶闸管开关电路然而上述这种直流晶闸管电路设计的缺点之一是机械常闭“OFF”开关S2需要足够大,以在触点打开时处理流经晶闸管和灯的电路功率。如果是这种情况,我们可以用一个大型机械开关代替...
快速
晶闸管的
简介
答:
通态电流临界上升率是在规定条件下,器件从断态转入通态时,对
晶闸管
不产生有害影响的最大
通态电流上升率
;断态电压临界上升率是在规定条件下,器件从断态不致转向通态的最大断态电压上升率。快速晶闸管在额定频率内其额定电流不随频率的增加而下降或下降很少。而普通晶闸管在 400Hz以上时,因开关损耗...
晶体
闸
流管详细资料大全
答:
当
晶闸管
在正向阳极电压下,从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管
的电流
放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3,当a1和a2随发射极电流增加而(a1+a2)...
为什么要限制
晶闸管
断电电压
上升率
du/dt?
答:
晶闸管的
RC保护电路可以起到抑制作用,在每个桥壁电抗器也是防止
过大
造成晶闸管误导通的有效办法.此外,对于小容量的晶闸管,在其门极和阴极之间接一电容,使du/dt产生的充电
电流
不流过结电容,而通过电容C流到阴极,防止du/dt过大而误导通.
RC阻容吸收器电路图
答:
它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下,使晶闸管从断态转入
通态
的最低电压上升率。若电压
上升率过大
,超过了
晶闸管的
电压上升率的值,则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压,也可能发生这种情况。因为晶闸管可以看作是由三个PN结组成。在晶闸管处于阻断状态下...
软启动器的相关原理
答:
软启动器的工作原理如下:用软启动器启动电机时,
晶闸管的
输出电压逐渐
升高
,电机逐渐加速,直到晶闸管完全导通。电机工作在额定电压的机械特性上,从而实现平滑启动,降低启动
电流
,避免启动过流跳闸。当电机达到额定转速时,启动过程结束,软启动器将自动用旁路接触器代替已完成的晶闸管,为电机正常运行提供额定...
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