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LDD轻掺杂几价
晶体管中的
LDD
是什么意思
答:
轻掺杂
漏区(Lightly Doped Drain,
LDD
)结构,是MOSFET为了减弱漏区电场、以改进热电子退化效应所采取的一种结构,即是在沟道中靠近漏极的附近设置一个低掺杂的漏区,让该低掺杂的漏区也承受部分电压,这种结构可防止热电子退化效应。实际上,现在这种结构已经成为了大规模集成电路中MOSFET的基本结构。
virtuoso画版图时模块之间拼接共用环时的孔怎么处理
答:
这里的注入为两次注入,首先
轻掺杂
注入,在栅上生成一层氧化层后再重掺杂注入,形成
LDD
结构。,mask是p+mask。 p+在Nwell中用来定义PMOS管或者走线;p+在 Pwell中用来作为欧姆接触。LDD不必用来形成 PMOS,这是因为热载流子在PMOS中受影响小。
半导体器件——GIDL篇
答:
解决方案: 通过引入
LDD
技术,调整交叠区域的
轻掺杂
,缓和电势变化,降低载流子跃迁的可能,从而有效地抑制漏电流的产生。在NAND器件中的影响: 在编程过程中,GIDL会与inhibit string的HCI效应相互作用,导致边缘的word line阈值电压(Vt)上移。而对于未被抑制的string,由于缺乏静电压差,这种效应相对减弱。...
TFT-LCD是什么?
答:
在n沟道TFT中采用
轻掺杂
漏极(
LDD
)结构改善了可靠性和降低暗电流。图4给出n沟道和p沟道TFT I-V特性。沟道宽度(W)和长度(L)分别为9μm和4.5μm,电子和空穴迁移率分别为μn=236cm2/vs和μp=120cm2/vs,阈
短沟道效应的特点
答:
(2)迁移率场相关效应及载流子速度饱和效应低场下迁移率是常数,载流子速度随电场线性增加。高场下迁移率下降,载流子速度达到饱和,不再与电场有关。速度饱和对器件的影响一个是使漏端饱和电流大大降低,另一个是使饱和电流与栅压的关系不再是长沟道器件中的近平方关系,而是线性关系。(3)影响器件寿命...
LED是什么意思?和
LDD
是什么意思?
答:
轻掺杂
漏区(Lightly Doped Drain,
LDD
)结构,是MOSFET为了减弱漏区电场、以改进热电子退化效应所采取的一种结构(见图示)。即是在沟道中靠近漏极的附近设置一个低掺杂的漏区,让该低掺杂的漏区也承受部分电压,这种结构可防止热电子退化效应。实际上,现在这种结构已经成为了大规模集成电路中MOSFET的...
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