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背散射电子成像特点
二次电子像和
背散射电子
像有什么不同?
答:
1、性质不同:二次电子像是以入射方向逸出样品的电子
。背散射电子像是在扫描电子显微镜中,通过电子枪产生的电子,经过加速磁场、偏转磁场后,照射到待检测的样品表面,待检测样品会反射一部分的电子。2、特点不同:在扫描电子显微镜的工作镜腔里的背散射电子探头就会检测到这些被反射的电子,进而在检测器...
电子
显微镜
成像
原理有什么异同点?
答:
2.成像效果不同
二次电子像可以提供较高的表面解析度和形貌信息,在探测表面微观形貌方面具有独特的优势。但它对样品的表面细节敏感,因此不适用于考察样品内部结构和化学成份等信息。背散射电子技术则可提供样品的组成信息,包括组分的类别、分布和厚度信息。相比于其他方法,如 X 射线增强扫描电镜 (SEM)...
二次电子像
背散射电子
像和吸收电子像的
特点
和用途
答:
背散射电子像具有分辩率低、背散射电子检测效率低,衬度小的特点
,主要用于反映原子序数衬度。
二次电子像与
背散射电子
像有什么区别吗?
答:
背散射电子像则具有较低的分辨率,
其主要特点是背散射电子产额随原子序数增大而明显增加
,因此可以用来观察样品表面不同成分分布情况,如有机无机混合物、合金等。背散射电子由于能量较高,穿透能力较强,能够从样品中较深的区域逸出,可以提供一些深度信息。但是,背散射电子像的衬度较大,会掩盖一些细节信...
利用扫描电镜分析时二次
电子
与被
散射
的区别。
答:
背散射电子像(不严格地俗称“成份像”或“原子序数像”)背散射电子是由样品“反射”出来的入射电子,
其主要特点是:(1)能量高
,从50eV到接近入射电子的能量。(2)穿透能力比二次电子强得多,可从样品中较深的区域逸出(微米级),在这样的深度范围,入射电子已有相当宽的侧向扩展,因此在样品中产生的...
扫描电镜
背散射电子
图像怎么分析
答:
一般二次电子像主要反映样品表面微观形貌,基本和自然光反映的形貌一致,特殊情况需要对比分析。
背散射电子
像主要反映样品表面元素分布情况,越亮的区域,原子序数越高。第二、看表面形貌,
电子成像
,亮的区域高,暗的区域低。非常薄的薄膜,背散射电子会造成假像。导电性差时,电子积聚也会造成假像。
二次电子像的衬度和
背散射电子
像的衬度有何
特点
答:
二次电子成像一般是扫描电镜最基本的配置,图像主要反映表面几何形貌的反差信息,同时也有一定程度的原子序数反差信息,但以几何形貌反差为主.二次电子出射深度和范围主要和电子束斑直径有关,所以可以实现高分辨形貌观察。
背散射电子成像
一般是选配,背散射探测器不像二次电子探测器基本上是一种,而是有几...
扫描电子显微镜(SEM)-
背散射电子
(BSE)
答:
背散射电子成像
过程的魔法在于能量的选择。高能的BSE几乎不受收集栅电位的影响,如同不受拘束的自由精灵,大量进入检测器,形成稳定的图像。相比之下,低能的二次电子则严格受电位控制,只有当收集栅处于特定电位时,它们才会成为主导图像的信号源。通过精细调控收集栅的电位,科学家们可以自如地在二次电子和...
在扫描
电子
显微分析中,有哪几种
成像
方法?它们各自采用何种探测器_百 ...
答:
①
背散射电子
。背散射电于是指被固体样品中的原子核反弹回来的一部分入射电子。其中包括弹性背散射电子和非弹性背散射电子。背散射电子的产生范围深,由于背散射电子的产额随原子序数的增加而增加,所以,利用背散射电子作为
成像
信号不仅能分析形貌
特征
,也可用来显示原子序数衬度,定性地进行成分分析。②二...
背散射电子
的相关介绍
答:
背散射电子成像
(Back scattered Electron Imaging,简称BSE)是依托扫描电镜的一种电子成像技术,它的成像原理和
特点
非常适合用来研究那些表皮尚存的各类笔石标本,是二次电子成像(SEM)无法替代的。当前BSE图象显示了许多以往其他途径无法观察到的笔石微细结构,特别是笔石复杂的始端发育
特征
,结果验证了Psig...
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