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硅掺杂和功函数
知道了硅片的费米能级怎么求
功函
答:
功函数
的测量方法分为“绝对测量”和“相对测量”两大类:1)绝对测量法是测量电磁场的垂直分量和水平分量的振幅值和它们相对于—次场相位移的方法。试验中是利用样品由光吸收(光发射)所引发的电子发射,通过高温(热发射)、或者电场(场发射),以及使用电子隧穿效应进行测量获得的光谱(PES),从而提供...
mos晶体管的MOS晶体管 - 阈值电压的影响因素
答:
第四个对器件阈值电压具有重要影响的参数是栅材料
与硅
衬底的
功函数
差ΦMS的数值,这和栅材料性质以及衬底的
掺杂
类型有关,在一定的衬底掺杂条件下,栅极材料类型和栅极掺杂条件都将改变阈值电压。对于以多晶硅为栅极的器件,器件的阈值电压因多晶硅的掺杂类型以及掺杂浓度而发生变化。可见,在正常条件下,很...
哪个能帮我弄个《关于太阳能电池制备工艺》方面的中英文对照的资料...
答:
回答:众所周知,利用太阳能有许多优点,光伏发电将为人类提供主要的能源,但目前来讲,要使太阳能发电具有较大的市场,被广大的消费者接受,提高太阳电池的光电转换效率,降低生产成本应该是我们追求的最大目标,从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状
硅
、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜...
同质P-N结的能带结构图是如何得出的
答:
根据内建电场所引起的这种能量变化关系,即可画出p-n结的能带图。在达到热平衡之后,两边的Fermi能级(EF)是拉平(统一)的。能带的倾斜就表示着电场的存在。P-N结的定义:采用不同的
掺杂
工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是
硅
或锗)基片上,在它们的交界面就形成...
阈值电压影响因素
答:
影响cmos阈值电压的因素:1、栅氧化层厚度TOX 2、衬底费米势 3、金属半导体
功函数
差 4、耗尽区电离杂质电荷面密度 耗尽区电离杂质电荷面密度近似地与衬底杂质浓度N的平方根成正比 5、栅氧化层中的电荷面密度Qox 阈值电压 (Threshold voltage):通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化...
多晶硅太阳能电池的技术制作
答:
对于单晶硅,应用各向异性化学腐蚀的方法可在(100)表面制作金字塔状的绒面结构,降低表面光反射。但多晶硅晶向偏离(100)面,采用上面的方法无法作出均匀的绒面,目前采用下列方法:[1]激光刻槽用激光刻槽的方法可在多晶硅表面制作倒金字塔结构,在500~900nm光谱范围内,反射率为4~6%,与表面制作双层减...
整流接触产生的原因?欧姆接触产生的原因?
答:
整流接触:是特定金属与轻
掺杂
半导体(大多为N型
硅
)接触,又叫肖特基接触;具有与PN相似的性能,但属于单极性器件。 欧姆接触:是特定金属与重掺杂半导体或
功函数
低的半导体接触,它具有双向导通性,接触电阻可忽略。
半导体问题求助:单晶硅和铝接触时,接触面的铝究竟是当做N型还是P型...
答:
P型半导体 也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的
硅
晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性...
半导体中自由电子与空穴的能级是否一致?不一致的话,他们能否复合?_百度...
答:
至于Wm和Ws的关系如何,这和不同金属元素和半导体
掺杂
有关。但应注意的是,如果半岛体表面态密度很大,它可以屏蔽金属接触的影响,即半导体和金属接触时的势垒高度和金属
功函数
Wm几乎无关,而仅由半导体的表面性质所决定。这个你要想深入了解就自己看书吧。至于补充问题,当电子在不同能带上迁移时,必须有...
电力mosfet导通条件是什么且什么
答:
1. MOSFET的临界电压(threshold voltage)主要由栅极与通道材料的
功函数
(work function)之间的差异来决定,而因为多晶硅本质上是半导体,所以可以借由
掺杂
不同极性的杂质来改变其功函数。更重要的是,因为多晶硅和底下作为通道的
硅
之间能隙(bandgap)相同,因此在降低PMOS或是NMOS的临界电压时可以借由直接调整多晶硅的功函数来...
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