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砷衬底和磷衬底哪个好
掺
砷
掺锑
衬底
区别
答:
这两个区别如下:1、材料特性:掺锑衬底属于III-V族半导体材料,掺
砷衬底
则是V族半导体材料,掺锑衬底的光电特性比较好,抗辐照性能相对较高,而掺砷衬底则有较高的迁移率和电导率。2、加工工艺及条件:掺锑衬底制备过程相对简单,机械强度较高,而掺砷衬底制备难度较大,生产成本较高,且其本身机械...
蓝宝石
衬底
三种衬底的性能比较
答:
首先,表1详细列举了这三种常见的
衬底
材料,它们分别是蓝宝石、硅和硅 carbide。蓝宝石以其优良的光学透明度和热稳定性,常用于高端LED应用。硅衬底因其成本效益和成熟的制程技术,是大规模生产中的首选。硅 carbide则以其高热导率和机械强度,适用于需要高温和高压环境的LED器件。然而,除了这三种,还有...
请问制作半导体的工厂有毒吗?
答:
1. 单晶硅片(
衬底
)制作工程:无毒,但是在把硅柱切割成硅片的时候,会有很多硅尘出现,如果长期在切割部门工作,比如说工作10年以上,很容易得一种叫做硅肺的病。2.Wafer FAB:大量存在一些有毒和易爆的物质,如果
磷
,
砷
,氯气(有毒)和甲烷,氢气(易爆),还有以下腐蚀性很强的物质,比如HF,...
什么是半导体的
衬底
答:
化工学
衬底
最常见的为氮化物衬底材料等。氮化物衬底材料的研究与开发增大字体复位宽带隙的GaN基半导体在短波长发光二极管、激光器和紫外探测器,以及高温微电子器件方面显示出广阔的应用前景;对环保,其还是很适合于环保的材料体系。
砷
化铟是第四代半导体材料 2022年后市场发展空间大
答:
砷
化铟:第四代半导体的璀璨未来 InAs,作为第四代半导体材料的佼佼者,因其高电子迁移率在霍尔器件和磁阻器件领域展现出巨大潜力。作为
衬底
材料,InAs更是被广泛应用在激光器和红外探测器的外延材料制造上,其市场前景广阔。近年来,随着行业步入第四代,以窄带隙半导体为主导,InAs作为代表性产品,其...
求问在
砷
化镓
衬底
表面用激光打标机打个镭刻号有危险吗
答:
砷
化镓薄膜太阳能电池
衬底
使用的是不锈钢薄膜,本身已经很薄,镭射刻号是可以的,但要求较高。另外要考虑两个因素:一、砷化镓薄膜太阳能电池芯片在生产过程中是含有毒物质的,操作不当有可能会造成对芯片的损坏以致泄漏;二、砷化镓薄膜太阳能电池芯片生产封装后才出厂的,如果要在生产期间增加镭射刻号工...
衬底
丨基片的分类
答:
在精密科技的舞台上,基片和靶材同样扮演着关键角色。让我们一起探索这个丰富多彩的
衬底
世界,看看它是如何为各种应用定制专属的基础。半导体薄膜基片硅(Si)、锗(Ge)、
砷
化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、砷化铟(InAs)和锑化镓(GaSb)等,如同基石,支撑着微电子的璀璨未来。高温超导薄膜的热力舞台铝...
LED从芯片制作到外延,
衬底
,再到最后封装的过程
答:
由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小(约 0.1mm),不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张,是LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张,但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。3.LED点胶 在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。(对于GaAs、SiC导电
衬底
,具有背面电极的红光...
...在制造过程中,在S
与
D极之间的
衬底
表面上就已经形成了导电沟道...
答:
作为N沟道耗尽型MOS管,在制造过程中,S、D之间的
衬底
表面形成了导电沟道,其原因就是往沟道区域注入了
磷
离子或
砷
离子,一般来说是磷离子,砷离子常被用来作为S、D区域的注入。如果是N沟道增强型MOS管被做成了N沟道耗尽型MOS管,则可能的原因比较多,需要你提供进一步的信息。
半导体扩散工艺是什么
答:
2 替位式扩散机构 这种杂质原子或离子大小与Si原子大小差别不大,它沿着硅晶体内晶格空位跳跃前进扩散,杂质原子扩散时占据晶格格点的正常位置,不改变原来硅材料的晶体结构。硼、
磷
、
砷
等是此种方式。3. 填隙式扩散机构 这种杂质原子大小与Si原子大小差别较大,杂质原子进入硅晶体后,不占据晶格格点的...
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p型衬底
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