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湿法刻蚀能刻多深
太阳能 光伏电池制造 多晶制绒腐蚀
刻蚀
其腐蚀重量和腐蚀深度的转换公...
视频时间 156:17
光刻胶厚度会不会影响
湿法刻蚀
的刻蚀
答:
不会。光刻胶厚度不会影响湿法刻蚀的刻蚀,在20nm技术节点,
光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右
。
半导体MEMS制造的基本工艺——
刻蚀
工艺(
湿法
);
答:
湿法刻蚀
,即刻蚀介质沉浸于刻蚀剂液体中,以其成本效益和批量生产能力而闻名。它能够一次处理多达25至50个晶圆,展现出惊人的生产效率。然而,干法刻蚀则需要复杂的设备,如等离子体反应环境和超净管道,凸显了两种工艺的差异。各向同性与各向异性:微观世界的雕塑家 各向同性刻蚀剂均匀地作用于所有方向,创...
什么是
湿法刻蚀
答:
在
刻蚀
中,用于刻蚀基板(1)的刻蚀剂(4)按给定图形施加。在刻蚀之前,在基板(1)上按所述图形涂覆抗蚀剂层(2),以限定出基板(1)的至少一个露出部分(3)。为了使底蚀最小,在刻蚀之前,在基板(1)上设置钝化物质也限定所述图形,即在露出部分(3)的周围。刻蚀期间钝化物质在周围形成刻蚀保护化合物。
液晶显示屏生产工艺流程是什么
答:
(e)显影 (f)
湿法刻蚀
(g) 去除光刻胶 图2.4阻光器图形转移工艺 阻光器加工完毕后,进入滤光器加工阶段,三种滤光器(红、绿、蓝)分别通过3道图形转移工艺完成加工,由于三种滤光器直接由不同颜色的光刻胶制成,该图形转移工艺与前述图形转移工艺有所不同,它不包含刻蚀和除光刻胶的工序。
NiCr薄膜的沉积及其
湿法刻蚀
答:
四、
湿法刻蚀
的艺术 刻蚀工艺有干法和湿法之分,湿法以其成本效益高而被广泛应用。NiCr薄膜采用硫酸高铈、硝酸等化学成分的溶液,通过光刻掩膜形成精确的电阻图形。刻蚀过程中,温度、浓度和基片运动的均匀性是决定图形质量的关键。实验结果显示,刻蚀后的图形线条与设计要求高度吻合,但过度或不足的
刻蚀可能
...
太阳能电池板的制作流程
答:
(4) 磷扩散:采用涂布源(或液态源,或固态氮化磷片状源)进行扩散,制成PN+结,结深一般为0.3-0.5um。(5) 周边
刻蚀
:扩散时在硅片周边表面形成的扩散层,会使电池上下电极短路,用掩蔽
湿法
腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。(6) 去除背面PN+结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN+结。(7...
什么叫
刻蚀
的选择比.刻蚀速率。 知道的大侠麻烦告诉下小弟!有资料的也...
答:
刻蚀
速率:刻蚀前后的厚度差与刻蚀时间的比。反应刻蚀快慢的量 选择比:同一种刻蚀方法刻蚀不同材料的刻蚀速率不用,选择比即为同一种可是方法刻蚀两种不同材料的刻蚀速率的比。
刻蚀
技术的工艺分类
答:
定性而言,增加蚀刻温度与加入搅拌,均能有效提高蚀刻速率;但浓度之影响则较不明确。举例来说,以49%的HF蚀刻SiO2,当然比BOE (Buffered-Oxide- Etch;HF:NH4F =1:6) 快的多;但40%的KOH蚀刻Si的速率却比20%KOH慢! 湿蚀刻的配方选用是一项化学的专业,对于一般不是这方面的研究人员,必须向该...
氢氧化钾
刻蚀
蓝宝石速率
答:
3.2毫米每分。根据查询泛半导体
湿法
知识分享信息显示,在平面蓝宝石上使用磷酸、熔融氢氧化钾、氢氧化钾和乙二醇中的氢氧化钠生长的纤锌岩氮化镓的良好控制结晶蚀刻,蚀刻速率高达3.2毫米每分。
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