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二极管雪崩击穿原理
半导体
二极管
极其电路:解释
雪崩击穿
、齐纳击穿、热击穿形成的原因,并...
答:
雪崩击穿:当加在PN结两端反向电压足够大时,PN结内的自由电子数量激增导致反向电流迅速增大,导致击穿
。齐纳击穿:当PN结两端加入高浓度的杂质,在不太高的反向电压作用下同样会使反向电流迅速增大产生击穿。热击穿:加在PN结两端的电压和流过PN结电流的乘积大于PN结允许的耗散功率,PN结会因为热量散发不出去...
雪崩二极管
简介
答:
当反向电压增大到一定数值时,反向电流突然增加,这就是反向电击穿
。击穿类型分为雪崩击穿和齐纳击穿。在雪崩击穿中,PN结反向电压增大时,载流子倍增就像雪崩一样迅速增加。利用这个特性制作的二极管称为雪崩二极管。在电场作用下,载流子能量增大并与晶体原子碰撞,形成自由电子-空穴对,新产生的载流子又通过碰...
为什么
二极管
是单向导电?
原理
是什么?
答:
如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管,利用
击穿
特性制作稳压二极管和
雪崩二极管
;利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管;利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二...
为什么
二极管
的
雪崩击穿
是正温度系数?
答:
雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中,因为这种PN结的阻挡层宽,因碰撞而电离的机会就多
。当温度上升时,载流子浓度增大,导致PN结的阻挡层变窄,碰撞而电离的机会就大大减少,即雪崩式的撞击大大减少,雪崩击穿发生的难度就会增大。故温度升高,雪崩击穿所需的反向电压也需要更大。解释完毕。
二极管雪崩击穿
与齐纳击穿,哪个电压大?
答:
雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时,载流子倍增就像雪崩一样,增加得多而快
。齐纳击穿完全不同,在高的反向电压下,PN结中存在强电场,它能够直接破坏!共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对,形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大!只有在杂质浓度特别大!!的PN结才做得到。(杂质大电荷...
雪崩二极管
的工作
原理
答:
新产生的电子和空穴也向相反的方向运动,重新获得能量,又可通过碰撞,再产生电子–空穴对,这就是载流子的倍增效应。当反向电压增大到某一数值后,载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样,载流子增加得多而快,这样,反向电流剧增, PN结就发生
雪崩击穿
。利用该特点可制作高反压
二极管
。下图是...
二极管
的
击穿
现象主要有哪些?
答:
主要有两种击穿,分别是齐纳击穿和
雪崩击穿
,主要详细击穿形成原因如下:1、齐纳击穿 反向击穿按
机理
分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿...
二极管
的
击穿原理
是什么,齐纳击穿与
雪崩击穿
有什么去别?
答:
击穿的
原理
就是电场强度(能量)达到一定程度,使原来不能参与导电的电荷变成自由电荷而且数量急剧增长。齐纳击穿与
雪崩击穿
只是其两种不同的表现形式而已,原理不赘述,课本上都有。回复楼下:别乱讲,只要限制电流与功耗,任何“击穿”都是可恢复的!实际上掺杂浓度决定了击穿类型。通常,击穿电压<6~7V...
半导体
雪崩
光电
二极管
工作
原理
答:
半导体雪崩光电
二极管
的工作
原理
基于当二极管受到足够高的反向偏压时发生的特殊现象。在耗尽层中,当载流子受到碰撞时,它们可能会经历电离效应,导致数量成倍增长,这就是所谓的雪崩倍增。这一发现最初是在研究二极管反向击穿机制时偶然发现的。当载流子的雪崩增益非常高时,二极管会进入
雪崩击穿
状态,这意味着...
雪崩
光电
二极管
的工作
原理
答:
在0.6~0.9μm波段,硅APD具有接近理想的性能。InGaAs(铟镓砷)/InP(铟磷)APD是长波长(1.3μn,1.55μm)波段光纤通信比较理想的光检测器。其优化结构如图所示,光的吸收层用InGaAs材料,它对1.3μm和1.55μn的光具有高的吸收系数,为了避免InGaAs同质结隧道击穿先于
雪崩击穿
,把雪崩区与...
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