共集放大电路又叫射极跟随器，怎样确保它工作在放大区？

Question

现有一PNP型共集放大电路，目标是调整基极电流，从而改变输出电流，经测量，集电极电压低于发射极电压，却高于基极电压（射极跟随器？？？），要想PNP三极管工作在放大区，我的理解是UE>UB>UC，照这样计算，该三极管总是处于饱和区，是我理解出现问题？？？（图为测量数据）

Answer 1

首先：你这个电路不是射极跟随器电路，PNP型共集放大电路（射极跟随器）的电压应该是Uc=0或基本为0（一般集电极接地或串联一个小的电阻接地的），而发射极是通过负载接到电源正极的，因此基极电压变化时，Uc=0或基本为0上很小变动，而发射极会跟随基极电压Ub变化而变化（高于Ub0.7V)，射极跟随器一般是不会饱和的！
其次：根据你的叙述，好像还是共发射极电路（注意是PNP的！），从你的数据看，是基极电流太大了，使晶体管饱和了，办法是减小基极电流，使基极电压由4.36V增加，而不是如你的记录上的那样减小（因为你这样就是使饱和度越来越深），注意基极电流和基极电压之间不是线性的，基极电压变化是很小的，直到集电极电压随基极电流的变化而变化就进入放大状态了。追问

    我给基极的电压从0V~5V都试过，结果都是这样！！！基极电压是通过占空比调节得到的，通过RC后供给基极。

追答

首先电路上看，确实是共发射极电路。
如果你是在Q4基极上直接加基极的电压这个实验是很难做好的，因为基极电流和基极电压之间不是 线性的，在临界点基极电压只要增加一点点（万用表上都不太注意的）电压，就会使晶体管截止，同样只要减少一点点又会使晶体管饱和，而且集电极电阻这么大，好像有50K欧姆多。
建议：在基极串联一个1M欧姆以上的电阻，然后在这个电阻前加上4.2V左右变化的电压再测量，注意这个电压必须是恒定直流的（不能有纹波），这个实验测量出的数据不是很稳定的，因为电流实在太小了，容易受到干扰。
还有：你要测量基极电压，万用表要接在晶体管的发射极和基极，测量Ueb，如果接在地对基极，万用表的电流会影响晶体管的工作状态。

Answer 2

你的问题很奇怪。用PNP管搭的射极跟随器中，集电极是直接接到负电源电压的，一般不在不会集电极和负电源电压之间再加电阻，这和共发射极电路是完全不同的，因此也不会高于基极电压（不会进入饱和区，进入饱和区的前提之一是在电源和集电极之间接有限流电阻），如果电流过大它会烧毁。
从你的数据表来看也有问题，PNP管的发射极和基极之间的电压明显超过了0.7V甚至达到1.13V，这太不正常了，哪个三极管处于这种状态下发射结还能不烧毁？
还有一点要说明，射极跟随器的输出电流变化不是基极电流控制的，是由负载电阻决定的，基极电流实际上也是受负载控制的而不是相反。
建议你画出电路图来看看，问题究竟是出在哪里。追问

UBE不大于Uon，三极管可以导通？

追答

对于硅管，Ube0.4~0.5V左右就开始导通，0.7V左右已经充分导通，不会增大到1V多的，除非是复合管。

追问

即是不能通过改变基极电压来改变基极电流咯？（基极电阻恒定的情况下）

Answer 3

你这个结果当然是饱和区了。
放大区的要求是发射结正偏而集电结反偏，你需要调整基极偏置，工程上最简单的方法是用万用表测量EC之间的电压（经验），确保这个电压高于1V。很明显，你的EC电压不够，自然不能进入放大区了。追问

问题是发射极提供5V电压，集电极接负载，三极管截止时，集电极电压在0~3.75V之间，基极提供如表中所示电压后，三极管导通，然后再测集电极电压，结果测得的数值就如表格所示，这是什么原因？难道是三极管导通后会拉高集电极电压？？？

追答

当然有这个可能，你三极管导通的情况看，实际上出现的就是饱和导通。你要注意一下Ib的电流

追问

怎样确保三极管工作在放大区呢？理论上我已经做到UE>UB>UC了，为什么还是不能？

追答

理论上我已经做到UE>UB>UC，这个指标即便饱和也满足。放大的条件是UE>UC+（1V以上）

Answer 4

你是想让它放大直流信号还是交流信号?放大信号的不同,电路也是不同的
对于PNP管,E极的电压是要比B极高出一个VBE的,一般是0.7V
三极管是电流控制元件,那么,它饱和与否,是以B极和C极的电流来决定的,不是电压来决定的