双扩散漏和轻掺杂漏的区别

Question

如题所述

Answer 1

结构不同。
1、双扩散漏和轻掺杂漏工艺不同，离子注入次数不同。
2、轻掺杂漏极是在双扩散漏工艺上发展而来，在MOS侧墙形成之前增加一道轻掺杂的离子注入流程，侧墙形成后依然进行源漏重掺杂离子注入，漏极和沟道之间会形成一定宽度的轻掺杂区域。
3、采用了轻掺杂漏端结构，传统功率器件中的漂移区，一般采用两次或两次以上离子注入形成轻掺杂漏端，所以被称为双扩散漏端MOS。