朱建军，现任中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员。他的学术历程丰富而扎实：1992年7月，他获得大连理工大学应用物理系学士学位；1995年7月，他又在北京师范大学物理系攻读并获得了凝聚态物理专业硕士学位；随后在1998年7月，他在中国科学院半导体研究所完成了半导体材料与物理专业的博士学位。1998年8月至2011年1月，他在中科院半导体研究所集成光电子国家重点实验室工作，期间他参与研制了国内首台同时生长3C-SiC和厚膜GaN材料的高温CVD/HVPE复合淀积系统，并在此基础上承担了多项重要科研项目，包括自然科学基金项目“蓝色发光二极管用SiC 材料生长的基础研究”等。
朱研究员还负责了中国科学院应用研究与发展重点项目，如“GaN/SiC/Si 异质外延材料的生长与研究”以及863项目中的“氮化物立方GaN 蓝、绿光发光器件研制与产品开发”。他致力于氮化镓材料的研究，包括GaN/Si(111)、GaN/Al2O3、AlGaN/GaN 超晶格以及InGaN/GaN 量子阱的生长与分析，将试验设计方法应用于GaN基材料与器件结构的外延生长，取得了一系列重要成果，如中国大陆第一只GaN基脉冲激射和室温连续工作激光器的研制。
他的研究方向未来五年将聚焦于生产型金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统及相关设备的研制与生产，这些设备针对III族氮化物基光电子和微电子器件的结构材料生长。他将结合在位监测技术，优化设备性能，提高生产效率，降低成本，减少环境污染。具体研究内容包括反应室设计、气路控制、自动化系统、绿色尾气处理和材料生长的模拟研究等，目标是形成能满足LED和功率电子器件等大规模生产的MOCVD设备能力。
朱建军，常用人名。使用此名并较出名的有北京林业大学教授、开封大学讲师、深圳市万山实业股份有限公司董事长、上海植物生理研究所助理研究员、中南大学博士生导师、日本秋田县立大学博士后、南京航空航天大学教授，博导、浙江元立集团制钉厂技术科科长等等