1989年，斯各特等人通过实验揭示了库仑阻塞现象，这一发现发生在二维电子气的特殊环境中。他们在异质结界面制备了一个微小的金属电极，这个电极能够形成一个量子点，其容量仅能容纳少量电子，电容值低至小于一法拉（10^-15法拉）。当外部电压施加时，如果电压变化不足以引发量子点内电荷量的单个电子变化，那么电子流动将被阻断，电流无法通过。只有当电压达到足以带动一个电子电荷变化的程度时，电流才开始流动。因此，电流与电压之间的关系并非线性，而是呈现出台阶式的特性。这次实验创新性地实现了人工控制电子运动，为单电子晶体管的制造提供了关键的实验证据。
第一个单电子晶体管由贝尔实验室的Fulton等人制成1。 典型的单电子晶体管如图示。量子点和外界被两个电容器和两个隧道结隔开。 库仑菱形是这种电路具备的独特性质。而单电子充电效应是库仑菱形的起因。