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场效应晶体管的电流是由什么引起的?有两个P-N交叉口吗?
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第1个回答 2020-03-06
在源漏电压保持不变的情况下,场效应晶体管开启状态下流经沟道的电流和关闭状态下流经沟道的电流大小之比。
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场效应管的
工作原理
是什么?
答:
场效应晶体管
(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理...
场效应管的
原理
答:
场效应晶体管
(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高(100MΩ~1 000MΩ)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和功率
晶体管
...
场效应管是个什么
东西?原理作用都
是什么?
答:
1.
场效应管
(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路
电流的
一种半导体器件,属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。2.场效应管工作原理就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道...
晶体管
原理
答:
最后,由于集电结处存在较大的反向电压,阻止了集电区的自由电子向基区进行扩散,并将聚集在集电结附近的自由电子吸引至集电区,形成集电极电流。晶体管工作原理--
场效应晶体管
场效应晶体管,英语名称为FieldEffectTransistor,简称为场效应管,是一种通过对输入回路电场效应的控制来控制输出回路
电流的
...
电
场效应的
原理
是什么?
答:
主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体
场效应
管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型
晶体管
。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等...
请问,
N
-MOS、
P
-MOS分别指N沟道MOS管和P沟道MOS
管吗?
它们的剖面图和工艺...
答:
它用一块
P
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两个N
型区(图lb),再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2)绝缘层(图1c),最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔,用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极:G(栅极)、S(源极)及D(漏极),如图1d所示。平面N沟道增强型...
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