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砷化镓激光器
砷化镓
是怎么合成的?
答:
液相外延可用来制造异质结(如GaAs/AlxGa1-xAs),因此它是制造
砷化镓
双异质结
激光器
和太阳电池等的重要手段。砷化镓外延技术还有分子束外延和金属有机化合物汽相沉积外延。分子束外延是在超高真空条件下,使一个或多个热分子束与晶体表面相作用而生长出外延层的方法。对入射分子或原子束流施加严格的控制...
砷化镓
怎么读
答:
2、
砷化镓
可以用于制造高速,高频,大功率的电子器件,如砷化镓场效应管等。这些器件在通信、雷达、电子对抗等领域具有广泛的应用。砷化镓具有高热导率,可以在高温环境下工作,因此可以用于制造高温器件,如高温晶体管、高温
激光器
等。3、砷化镓具有高电子迁移率和直接带隙,被广泛应用于光电子器件的制造,...
半导体
激光器
受激辐射的激发方式主要有哪几种
答:
半导体
激光器
的激励方式主要有三种,即电注入式,光泵式和高能电子束激励式.电注入式半导体激光器,一般是由GaAS(
砷化镓
),InAS(砷化铟),Insb(锑化铟)等材料制成的半导体面结型二极管,沿正向偏压注入电流进行激励,在结平面区域产生受激发射.光泵式半导体激光器,一般用N型或P型半导体单晶(如GaAS,InAs,InSb...
DFB
激光器
的介绍
答:
DFB( Distributed Feedback Laser),即分布式反馈
激光器
,其不同之处是内置了布拉格光栅(Bragg Grating),属于侧面发射的半导体激光器。目前,DFB激光器主要以半导体材料为介质,包括锑化镓(GaSb)、
砷化镓
(GaAs)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。DFB激光器最大特点是具有非常好的单色性(即光谱纯度)...
为什么晶体硅和
砷化镓
是等离子体
答:
关于为什么晶体硅和
砷化镓
是等离子体相关资料如下 砷化镓是继硅之后被研究最深入、应用最广泛的半导体材料,由于禁带宽度宽、电子迁移率高,因而不仅可直接研制光电子器件,如发光二极管、可见光
激光器
、近红外激光器、量子阱大功率激光器,红外探测器和高效太阳能电池等,而且在微电子方面,以半绝缘砷化镓为...
DFB
激光器
DFB激光器工艺和结构
答:
DFB
激光器
的制造工艺和结构详解DFB激光器的生产过程极其精密,展现了半导体技术的复杂性。以下是DFB激光器从材料生长到封装的完整工艺流程:工艺流程: 从GaSb-processing(锑
化镓
材料生长)开始,经过cleaving(切割)、coating/lift-off(镀膜/剥离)、facet coating(端面镀膜)、optical lithography(光学光刻...
光纤
激光器
与各种激光器有哪些区别
答:
光纤
激光器
和半导体激光器的区别就是他们发射激光的介质材料不同。光纤激光器使用的增益介质是光纤,半导体激光器使用的增益介质是半导体材料,一般是
砷化镓
,铟镓申等。(同理,固体激光器的增益介质一般是晶体或者玻璃,陶瓷等。气体的就是使用氦氖气,二氧化碳等。)半导体激光器的发光机理是粒子在导带和...
半导体
激光器
的发展过程
答:
在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上,美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯(Keyes)和奎斯特(Quist)报告了
砷化镓
材料的光发射现象,这引起通用电气研究实验室工程师哈尔(Hall)的极大兴趣,在会后回家的火车上他写下了有关数据。回到家后,哈尔立即制定了研制半导体
激光器
的计划,并与其他研究人员一道,经数周...
激光器
的发展史
答:
1958年,C.H.汤斯和A.L.肖洛把微波量子放大器原理推广应用到光频范围。1960年,T.H.西奥多·梅曼制成了第一台红宝石
激光器
。1961年,伊朗科学家A.贾文等人制成了氦氖激光器。1962年,R.N.霍耳等人创制了
砷化镓
半导体激光器。2013年,南非科学与工业研究委员会国家激光中心研究人员开发出世界首个...
半导体
激光器
发展过程
答:
半导体
激光器
的发展历程可以追溯到50年代,随着半导体物理学的迅速发展和晶体管的发明,科学家们开始设想制造这种新型器件。60年代初期,全球多个研究小组投身于半导体激光器的研究,其中莫斯科列别捷夫物理研究所的尼古拉·巴索夫在理论研究中表现出色。1962年的固体器件国际会议上,克耶斯和奎斯特报告了
砷化镓
...
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