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场效应晶体管的控制方式
功率
场效应管
和三极管的导通饱和压降各有什么特点?
答:
\x0d\x0a\x0d\x0a2、三极管是电流
控制
器件,如果驱动电流不够,饱和时流过的电流越大、压降就会上升;如果有足够的驱动电流、饱和压降都很小的,开关频率效果不好、速度较慢(因结电容大)。\x0d\x0a\x0d\x0a功率MOS
场效应晶体管
,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属...
TFT和LED哪种好?
答:
TFT(Thin Film Transistor)"薄膜
场效应晶体管
"。LED(Light Emitting Diode)"发光二极管"。TFT(Thin Film Transistor)是LCD显示器一种应用技术,原理是每个液晶像素点都是由薄膜晶体管来
控制
,对液晶光阀的矩阵寻址控制,解决了液晶显示器的光阀和控制器的配合,从而实现快速、高亮、高对比度。LED(...
场效应管
又称为单极性管,因为什么
答:
所以在双极型晶体管中,两种载流子都要参与导电。而在单极型晶体管中,以结型
场效应
管为例,它是在外加栅源电压的情况下,用Vgs
控制
PN结厚度,然后,在电压Vds的作用下,N沟道中的多子做漂移运动,从而形成漏电流。在这个过程中,只有多子参与了导电,少子并没有起到作用。单极型
晶体管的
提法是不太...
电子元器件中IRFZ24N是指的啥意思
答:
这个是一个
场效应管
,其基本参数如下:漏源电压:Vds=55V 漏极电流:Id=17A 功率:Ptot=45W 结温:Tj=175C 漏极与源极内阻:Rds=70mΩ 具体参数请查看IRFZ24N的使用手册。
如何区分
场效应管
,三极管,三端稳压器?
答:
场效应晶体管
,简称场效应管。主要有两种类型和金属-氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压
控制
型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率
晶体管的
...
有谁知道
场效应管
P75NF75的参数?
答:
P75NF75属于
晶体管
类别,参数是:电流75A 耐压75V,采用TO220
形式
封装。大部分
场效应管的
命名都有规律,前面数字代表电流,后面数字代表电压。直流参数 饱和漏极电流IDSS它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏、源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流。夹断电压UP它可定义为:当UDS...
场效应管
k40t120可以代替fgl40n120吗
答:
不可以。参数不一样,因为电压支持不同,所以粗细规格也不同。40N150是40A/1500V。而40N120是40A/1200V。利用
控制
输入回路的电
场效应
来控制输出回路电流的一种半导体器件,仅靠半导体中的多数载流子导电,FET 英文为Field Effect Transistor,简写成FET。
晶体管
和
场效应
管以及开关管,mos管有什么区别?
答:
电力
场效应晶体管
管MOSFET,目前能生产出的电压在1200V 电流在300A。它有点在于输入阻抗高,属电压型
控制
器件,可以直接与数字逻辑电路连接,且驱动电路简单,功耗小。 开关速度快,约是GTR的10倍,而且开关功耗小。热稳定性好,不存在二次击穿(缺点在电压还不能太高,电流容量还不能太大,只能在小...
n沟道增强型电力
场效应晶体管
关断的条件
答:
流过的正向电流。n沟道增强型电力
场效应晶体管
关断的条件让向金闸管流过的正向电流,处于比维持电流小的情况,就可以将其进行关断。一般来说,普通的晶闸管在处于导通状态下之后,控制晶闸管
的控制
级就不会再起到相关的作用了,如果想要将晶闸管关闭的话,就需要把晶闸管的电源给直接关掉。
场效应管
,耗尽型与增强型的区别是什么?
答:
一、指代不同 1、耗尽型:即在0栅偏压时就能够导电的器件。2、增强型:即在0栅偏压时是不导电的器件,也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的
场效应晶体管
。二、特点不同 1、耗尽型:场效应
管的
源极和漏极在结构上是对称的,可以互换使用,耗尽型MOS管的栅——源电压可正...
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