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可控硅参数参考值
可控硅
的
参数
是什么?有哪些不同?
答:
BT136、137、及138
参数
一样:如图所示:600V反向重复峰值电压VRRM:600V通态平均电流IT:4A通态不重复浪涌电流ITSM:40A最高结温Tjm:110 ℃贮存温度。BT138是双向
可控硅
,在两旁供给一点的电流(不管电流方向)左边和之间两个引脚就导通了(有一定的压降)。可控硅BT137 600E可以代替BT136 600E。品名...
常用
可控硅
主要
参数
有什么?
答:
反向重复峰值电压(VRRM)或断态重复峰值电压(VDRM),俗称耐压。
常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏
。触发电流 控制极触发电流(IGT),俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。额定正向平均电流4.在规定环境温度和散热条件下,允许通过阴极和阳极的电流平均值。
可控硅
BTA208X600E、JST12X1000CW、BCR8PM14L的
参数
是怎么看的?可以互...
答:
-
BTA208X600E:额定电压为600V,额定电流为8A,触发电压范围为1.5V到1.7V
。- JST12X1000CW:额定电压为1000V,额定电流为12A,触发电压范围为0.8V到2.0V。- BCR8PM14L:额定电压为600V,额定电流为8A,最大耗散功率为1.5W。这些参数的不同可能会影响可控硅在不同应用中的性能表现。因此,...
bt136双向
可控硅参数
答:
1、bt136双向可控硅参数包括:最大额定电压值在400V到800V之间
。2、最大额定电流在4A到16A之间。3、最大额定功率值在1W到3W之间。4、触发电流为5mA到30mA。5、触发电压为0.2V到1.5V。
可控硅
的
参数
有哪些?
答:
BT136是4A双向
可控硅
,可用任何4A以上可控硅代用,只要耐_达标即可。双向可控硅是一种
硅可控
整流器件,也称作双向
晶闸管
。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制,以小电流控制大电流,具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。双向可控硅除了其中一个电极G仍叫做控制极外,另外...
BTA26—600B
可控硅
的详细
参数
?
答:
工作电流:26A;工作电压:600V;控制极电流35-50毫安;产品封装:TO-220;脚位排列:T1-T2-G (A1-A2-G),A1主电极,A2主电极,G门极。
可控硅
是可控硅整流元件的简称(亦称
晶闸管
),是一种具有三个PN结的四层结构的半导体器件,属于半控的电流控制器件。和其它半导体器件一样,它具有体积小...
可控硅
主要
参数
答:
可控硅
的主要
参数
:1 额定通态电流(IT)即最大稳定工作电流,俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。2 反向重复峰值电压(VRRM)或断态重复峰值电压(VDRM),俗称耐压。常用可控硅的 VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。3 控制极触发电流(IGT),俗称触发电流。常用可控硅的IGT 一般为几微安到几...
单向
可控硅
的
参数
答:
回答:Diode Thyristors for general purpose (screw-type)TYPEIT(AV)(A)IRRM1(mA)Ta=25℃IRRM2(mA)Ta=100℃IDRM1(mA)Ta=25℃IDRM2(mA)Ta=100℃LHVTM(V)lGTVGM(V)VDRM(V)VRRM(V)Tj(℃)3CT55≤0.05≤8≤0.05≤8≤60≤2.2≤60≤3100~2000 -40-+1003CT1010≤0.1≤10≤0.1≤10≤...
可控硅
有哪些
参数
答:
可控硅
的
参数
主要有以下几个:1. 额定通态电流 可控硅的额定通态电流是指在规定的条件下,可控硅能够连续承受的最大通态电流。这是衡量可控硅性能的重要参数之一,通常与器件的散热能力有关。2. 反向击穿电压 反向击穿电压是指可控硅在关断状态下能够承受的反向电压最大值。超过这个值,可控硅可能会被...
常用的
可控硅参数
说明
答:
参数
符号说明: IT(AV)--通态平均电流 VRRM--反向重复峰值电压 IDRM--断态重复峰值电流 ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流 VTM--通态峰值电压 IGT--门极触发电流 VGT--门极触发电压 IH--维持电流 dv/dt--断态电压临界上升率 di/dt--通态电流临界上升率 ...
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