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半导体掺杂的意义是什么
n型
掺杂是什么
意思?
答:
但第五个价电子没有电子结合,将飘浮在原子周围。如果一个电压施加到硅-磷混合物,这个未被束缚电子将穿过
掺杂的
硅片向电压的正极移动,向混合特中掺杂的磷越多,产生的电流越大。掺入磷杂质的硅称为“N型硅”,或“负电荷载流子型硅”。n型
半导体是
在本征半导体中掺入磷、锑、砷元素形成的。1、...
为
什么
稀土
掺杂
会改变
半导体的
禁带
答:
当稀土元素
掺杂
到半导体材料中时,它们的电子将与半导体材料的电子发生相互作用,从而导致材料的电子结构发生变化,稀土元素的f电子在掺杂时将与
半导体的
价带和导带发生相互作用,从而引起半导体电子结构的改变。在半导体中,禁带是一片能量区域,该区域内不允许电子存在,因此也被称为禁带隙。
半导体是
一种介于...
现在
半导体
工艺为
什么
要研究不
掺杂
工艺
答:
将加速到一定高能量的离子束注入固体材料表面层内,以改变表面层物理和化学性质的工艺。在
半导体
中注入相应的杂质原子(如在硅中注入硼、磷或砷等),可改变其表面电导率或形成PN结。
本证
半导体的
导电能力为
什么
不如
掺杂半导体
答:
某种杂质的添加能极大的增加载流子的数目,所以掺杂质的半导体导电能力好。例如 掺有磷的半导体就是一种
掺杂半导体
。假设硅晶体中已掺入少量的磷。磷原子进入了原本该由硅原子占有的晶体结构中的位置。磷,作为第5组元素,由5个价电子。磷原子共享了4个价电子给它周围的4个硅原子。4对电子对给了磷...
高压线上的
半导体
层起
什么
作用
答:
高压线上的
半导体
作用是:当屏蔽层 在导体表面加一层半导电材料的屏蔽层,它与被屏蔽的导体等电位并与绝缘层良好接触,从而避免在导体与绝缘层之间发生局部放电,这一层屏蔽为内屏蔽层,同样在绝缘表面和护套接触处也可能存在间隙,是引起局部放电的因素,故在绝缘层表面加一层半导电材料的屏蔽层,它与被...
制备杂质
半导体
时一般按
什么
比例在本征半导体中
掺杂
?
答:
按照常规,一般是按百万分之一数量级的比例掺入。这样对
半导体的
性能会产生很大影响。
半导体掺杂
。为
什么
N型掺杂会在导带附近产生一个价带,而不在其他位置...
答:
半导体的设计初衷就是要在常温下产生一定的导电性。选择合适的
掺杂
原子,比如n型用As或者P,外层电子所处能级较高的原子,能级在导电带下方,常温下能激发部分电子进入导带。如果位置太下常温下电子很难进入导带,就失去了
半导体的意义
。
什么本征
半导体
?什么是杂质半导体?它们各
有什么
特征
答:
本征半导体:完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。本征半导体一般是指其导电能力主要由材料的本征激发决定的纯净半导体。完全纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。杂质半导体:本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质,可使
半导体的
导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺...
试解释重
掺杂半导体
使禁带宽度变窄的原因。
答:
【答案】:在重
掺杂半导体
中,杂质浓度对能带结构的作用表现在对两个能态密度函数的影响上。一个是与宿主晶格相联系的态密度,另一个是与杂质原子相联系的态密度。对于n型硅,随着杂质浓度的增加,杂质向晶格提供的电子数越来越多,这些过量电子的屏蔽作用改变了宿主原子最外层电子所处的周期势场,而...
为
什么
P型
半导体是半导体
中
掺杂
浓度最高的一种半导体?
答:
是由于
半导体
和掺入的微量元素都是电中性的,而
掺杂
过程中既不丧失电荷又不从外界得到电荷,只是在半导体中出现了大量可运动的电子或空穴,并没有破坏整个半导体内正负电荷的平衡状态。P型半导体,也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。
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