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功率mos管的作用
一个12V的蓄电池,二个4V的小音响,怎样将这二个小音响接到12V的蓄电池上...
答:
开关管VT4~VT6可用60V/30A任何型号的N沟道
MOS FET管
代替。VD7可用1N400X系列普通二极管。该电路几乎不经调试即可正常工作。当C9正极端电压为12V时,R1可在3.6~4.7kΩ之间选择,或用10kΩ电位器调整,使输出电压为额定值。如将此逆变器输出
功率
增大为近600W,为了避免初级电流过大,增大电阻性...
电力半导体件IGBT有哪些特点
答:
④ IGBT利用栅极可以关断很大的漏极电流。⑤ 与
MOSFET
一样,IGBT具有很大的输入电阻和较小的输入电容,则驱动
功率
低,开关速度高。⑥若把IGBT的p+漏极区分割为几个不同导电型号的区域(即再加进几个n+层),这就可以降低漏极p-n结对电子的阻挡
作用
,则还可进一步减小器件的导通电阻。IGBT也具有若干...
模拟电子电路的图书目录
答:
7.3.4
功率管
保护电路 1197.3.5 具有输出自举
作用的功率
放大器 1207.4 小结 121习题121第8章 集成放大器简介 1268.1 集成电路的偏置和有源负载 1268.1.1 晶体三级管电流源电路 1268.1.2 有源负载放大电路 1328.2 差分式放大器 1338.2.1 基本的晶体三极管差分放大器 1338.2.2 基本的场效应管差分放大器 ...
国家专用积体电路系统工程技术研究中心详细资料大全
答:
器件与工艺 本方向的研究专注于
功率
半导体技术,主要包括:功率半导体器件设计、功率集成工艺开发、高压电路设计及相关功率可靠性研究等。 Chroma 8000电源自动测试系统 (1)功率半导体器件设计:已完成600V平面型功率VDMOS和600V超结Cool
MOS的
设计研发,目前正在开展600V SiC JBS及1200V SiC MOS的器件设计工作; (2)功率...
BCD工艺概述
答:
未来趋势:高压、高
功率
与高密度 BCD工艺的演进瞄准了高压、高功率和高密度的前沿。高压BCD通过RESURF技术,提升器件的击穿电压;高功率BCD则聚焦于增强鲁棒性和控制成本;而高密度BCD则致力于集成复杂
功能
,推动模块化发展。新兴的HVCMOS-BCD、RF-BCD以及BCD-SOI技术,为特定应用场合提供了定制化的解决方案...
制作220v LED 指示灯?
答:
LED灯的光效不是按
功率
多大来定的,主要是根据它的亮度的定,普通的高亮LED只有几十mW,大功率的有1W,2W,3W,5W的.可根据自己的需要来增加数量.你说的那个PCB小条是用来装LED的,可以买来用的.LED应用电路和限流电阻的计算公式:1、图中RC降压
的作用
为减少压降。不同的LED串联数量,计算不同容量的电容...
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