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元素掺杂的主要原理
p型半导体的
掺杂元素
是?
答:
【答案】:B 在硅(Si)单晶中
掺
入硼(B),形成的是p型半导体;掺入磷(P),形成的是型半导体。硼(B)的价电子带都只有三个电子,是受主杂质,电子能够更容易地由硅(Si)的价电子带跃迁到硼传导带。在这个过程中,由于失去了电子而产生了一个正离子,因为这对于其它电子而言是个“空位”,所以通常...
什么
元素掺杂
可以使阈值电压变大
答:
掺杂元素
。掺杂元素如氮(N)或铝(Al)等,可以用来改变阈值电压。这些
元素的掺杂
浓度大小直接影响器件的阈值电压。当掺杂浓度较低时,阈值电压较高。
什么叫做过渡金属氧化物的
掺杂
答:
过渡
元素
是指元素周期表中d区的一系列金属元素,又称过渡金属。包括铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌等都是过渡金属。所谓其氧化物的
掺杂
,就是在氧化物中掺入杂质,例如ZnO中掺入三价的Al,氧化物的掺杂可以影响并改变原来的性质。
母合金母合金
掺杂的
几个因素
答:
这既带来了杂质分布不均的不利影响,也提供了利用这种效应将杂质定向于单晶头部或尾部,以实现提纯的可能。最后,石英坩埚在硅单晶拉制过程中引入的硼杂质,由于其纯度低于硅单晶,会在拉制过程中不断溶解并改变熔硅的杂质浓度。因此,硼的渗入也是影响母合金
掺杂的
一个重要因素。
半导体的应用
答:
显示活动影象资讯
的主要
部件是阴极射线管(CRT),广泛地应用在计算机终端显示器和平面电视上,CRT目前采用的电致发光材料,大都使用稀土掺杂(Tb3+、Sn3+、Eu3+等)和过渡
元素掺杂
(Mn2+)的硫化物(ZnS、CdS等)和氧化物(Y2O3、YAlO3)等无机材料。 为了减小CRT庞大的体积,资讯显示的趋势是高解析度、大显示容量、平板化...
RESCU文献赏析︱
元素掺杂
对LaAlO3红外辐射材料的带隙调控(黄亮)_百度知...
答:
在科技的前沿探索中,武汉科技大学黄亮课题组的杰出研究成果为红外辐射领域的LaAlO3材料带来了革新性的突破。LaAlO3作为一种潜在的红外辐射陶瓷,其固有的发射效率较低,但这正是他们研究的挑战和机遇所在。他们通过精细的化学
元素掺杂
,如引入Co2+,巧妙地调整了材料的能级结构,从而显著降低禁带宽度,极大地...
怎么计算
掺杂的元素
的量
答:
方法如下。首先要得出种元素,接下来就对每一种元素进行研究测量,之后在总元素里面进行百分比划分就可以算出每一个
元素的
量。比如有一斤玉米,那么蛋白质含量占多少?维生素含量占多少,水分占多少,通过百分比的方式就可以明确出来。
稀土
掺杂
如何证明掺进去了
答:
3、扫描电子显微镜SEM:SEM可以观察材料的表面形貌和组成。如果
掺杂的
稀土
元素
含量较高,会在材料表面形成明显的颜色变化或者微小的颗粒。这些颗粒可以通过SEM来观察和分析。4、能谱分析:能谱分析是一种通过探测材料中放射性粒子的方法来确定掺杂情况的技术。稀土元素中有一些放射性同位素,在材料中发生衰变...
半导体物理中的重
掺杂的
概念?
答:
掺杂
是针对杂志半导体而言,就是在本征半导体中参入3价或5价
元素
,使其成为向价带提供空穴的受主杂质或向导带发送电子的施主杂质。重掺杂就是参入的杂志浓度比较大。
PN结的形成
原理
是什么?
答:
半导体中的 P 型和 N 型是指掺杂有不同类型杂质的半导体材料。在晶体管和其他半导体器件中,这些掺杂区域被用来创建 PN 结,这是一种电子器件,它能够控制电子流。P 型半导体通常是硼等三价
元素掺杂
到硅或锗等四价元素的半导体中形成。掺杂后,杂质原子会带入一个少一个电子的空穴,这些空穴是带正...
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