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s掺杂体
掺杂
(硅、锗、锡)单壁碳纳米管的第一性原理研究选题的来源及意义_百度...
答:
使用第一性原理研究了纯(5,5)单壁碳纳米管(SWCNT
s
)和
掺杂
(Si,Ge,Sn)SWCNTs的电子结构和光学性质。研究发现,与其他体系的带隙值相比,Sn掺杂体系的带隙值最小,为0.034 eV,该体系显示出了良好的半导体性能。差分电荷密度图显示掺杂后原子周围的局域性降低,说明碳原子与掺杂原子之间的键强度减弱。布...
“s”和“o”为什么不能组成拼音?
答:
原因如下 因为都是不是生母,都是韵母。汉语拼音规则 一.书写字母要规范:1. 一律用印刷体小写字母,不可
掺杂
手写体。2. 要安在四线三格上书写字母的规定写字母。3. 拼写人名、地名、国名及专有名词时,第一个字母应当大写,句子开头的第一个字母也要大写。二.注意有些声母、韵母不能拼写在一...
楼雄文教授Advanced Materials:硫/氮共
掺杂
的大孔碳纤维表面支撑的三金...
答:
他们设计并合成了一种名为
S
/N-CMF@FexCoyNi1-x-y-MOF的新型催化剂,它巧妙地将空心硫/氮共
掺杂
碳纤维与三金属CMOF结合,解决了电极接触难题,展现出在碱性条件下的卓越电催化性能。该催化剂的诞生并非易事,研究人员通过水热法精心制备了CdS前驱体,随后形成空心碳纤维结构,并成功沉积Ni-MOF。最...
mos管中的d、 s、 n各自代表什么?
答:
G:gate 栅极;
S
:source 源极;D:drain 漏极。N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管,或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在,是一个由轻
掺杂
的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。
n型半导体中单位体积的电子数n等于什么?
答:
根据霍耳元件的灵敏度公式,可以得到 ΔI =
S
ΔE。单位体积的电子数n可以定义为载流子浓度N乘以电子电荷e,即n = Ne。将上述公式代入 ΔI = SΔE,得到 Ne = SΔE。因此,根据霍耳元件的灵敏度计算n型半导体中单位体积的电子数n的公式为:n = SΔE 其中,S为霍耳元件的灵敏度,ΔE为电场...
镓砷的半导体类型是P型还是N型?
答:
一般来说,如果我们要将镓砷变为N型半导体,添加属于V族元素(比如磷、砷、锑等)的元素,因为这些元素有五个价电子,多出的一个电子可以提供额外的电子,使得半导体具有更多的自由电子,从而使其成为N型半导体。在镓砷中,常见的N型
掺杂
元素是硅(Si)和硫(
S
)。另一方面,如果要将镓砷变为P型...
聚苯胺如何制得?
答:
聚苯胺的质子酸
掺杂
机制不同于其它导电高聚物的氧化还原掺杂,后者通过掺杂电子受体或电子给予体总伴随着分子链上电子的得失,而聚苯胺的质子掺杂则不改变主链上的电子数目,只是质子进入高聚物链上才使链带正电,为维持电中性,对阴离子也进入高聚物链[27]。现有的研究表明[28],聚苯胺的胺基和亚胺基均可与质子酸反应生...
什么是标准气体?什么是特种气体?
答:
特殊材料气体主要用于外延、
掺杂
和蚀刻工艺;高纯气体主要用作稀释气和运载气。电子气体是特种气体的一个重要分支。电子气体按纯度等级和使用场合,可分为电子级、L
S
I (大规模集成电路) 级、VL S I (超大规模集成电路) 级和UL S I (特大规模集成电路)级。 4. 外延气体 (Cp itax ial gases) :在仔细选择...
谐振隧穿二极管的RTD的工作性能
答:
对于构成器件的双量子势垒和单量子阱以外的区域,左边(源区
S
)一般
掺杂
较高,右边(漏区D)掺杂浓度可以比较低(≈1017cm-3)。电子从源(S)隧穿到漏(D)的透过率(比例于电流I)与电子的能量(~波长)有很大关系 (即与S-D之间的电压V强烈有关);入射电子波将受到势垒1和势垒2的反射, 然后这二束反射...
求假面骑士w每一集的概括。
答:
34、第34集:Y的悲剧,兄妹不破,因为翔太郎不能变身又遭受零
掺杂体
袭击。35、第35集:在R的一方,名叫怪物的暴雨,从Shroud处得到“迷失驱动器”。36、第36集:在R的一方,将这一切结束,变身为假面骑士Cyclone战斗。37、第37集:来访者X,约定之桥,冴子被Miko击伤,失去“禁忌记忆体”。38、...
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