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pn结是如何形成的
pn结
怎么
形成
答:
PN结是由P型半导体和N型半导体形成的结构
,P型半导体和N型半导体它们彼此扩散,在交接处形成一个极薄的近似无掺杂层,即PN结 拓展:在制造PN结的半导体材料上,先把一块硅片分别进行在表面分别进行P型和N型单向掺杂,这样就形成了一个具有两种不同电性的区域。然后将这两块区域互相接触并加热,使它们彼...
pn结的形成
原理
答:
这个过程会导致结面区域的电子云中存在着静电场,从而形成了PN结
。在PN结中,N型半导体中的电子向P型半导体中的空穴扩散,形成了一个电场,这个电场阻止了更多的电子和空穴通过PN结扩散。因此,在PN结的两侧形成了一个电势差,称为PN结电势垒。电势垒会使得PN结区域的载流子数目大大减少,从而改变了半导体材...
pn结形成的
过程
答:
pn结形成的过程:P半导体和N半导体相接触,基于扩散运动和飘移运动达成正负载流子的平衡,从而形成PN结
。PN结是典型的半导体,其由P半导体和N半导体构成的,其中P型半导体是一种空穴为多数载流子的杂质半导体,N型半导体是自由电子为多数载流子的杂质半导体。空穴带正电,自由电子带负电,所以P型半导体带正电荷...
PN结的形成
原理是什么?
答:
通过电子和空穴的扩散和漂移形成的
。1,在一个硅片上,不同的掺杂工艺会形成两种不同的半导体,这两种半导体分别称为N型半导体和P型半导体,这两种半导体进行接触时,会在交界面附近的区域形成PN结。2,扩散:当N型半导体和P型半导体结合在一起,由于交界面存在载流子浓度的差异,电子要从浓度高的地方向浓...
PN结是如何形成的
?在热平衡下,PN结中有无净电流流过?
答:
于是
在接触面,便形成一个PN结
。
在有P区和N区的同一半导体内,多子的扩散运动和少子的漂移运动是相互联系又相互对立的
。多子的扩散运动使空间电荷区加宽,内电场增强。内电场的建立和增强又阻止多子的扩散,增强少子的漂移,其结果又使空间电荷区变窄,内电场减弱,从而又使多子的扩散增强。如此相互制约,...
简述
pn结的形成
及原理
答:
PN结导通形成电流:从
PN结的形成
原理可以看出,要想让PN结导通形成电流,必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。很显然,给它加一个反方向的更大的电场,即P区接外加电源的正极,N区接负极,就可以抵消其内部自建电场,使载流子可以继续运动,从而形成线性的正向电流。而外加反向电压则相当于内建电场的...
PN结的形成
过程
是怎样的
?
答:
PN结
加反向电压时,PN结上形成了方向从N指向P的外电场,而且电场方向与PN结内电场方向相同,增强了内电场的作用,漂移运动和扩散运动的平衡被打破,漂移运动加强。这时形成了一个流出P区的电流,称为反向饱和电流。但由于这个电流是少子
形成的
,其值比较小,而且大小与环境温度有关,此时PN结的等效内阻很大...
简述
pn结的形成
答:
采用一些特殊的工艺(见本条目后面的段落),可以将上述的P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起。在二者的接触面的位置
形成
一个
PN结
。P型、N型半导体由于分别含有较高浓度的“空穴”和自由电子,存在浓度梯度,所以二者之间将产生扩散运动。即:(1)自由电子由N型半导体向P型半导体的方向扩散 (2)...
PN结形成的
原因
答:
当空间电荷区形成后,在内电场作用下,漂移运动,从N向P区运动,而自由电子从P运动到N。在无外电场和其他激发作用下,参与运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目,从而发到动态平衡,
形成PN结
,此时空间电荷区具有一定的宽度,电位差为耗尽层电势相等,电流为零。在P型半导体和N型半导体结合后,由于N...
pn结的形成
答:
pn结的形成
:在带电薄层中靠近P区一边有不能移动负电荷,在靠近N区一秤沃边有不能移动正电荷,正负电荷的存在在接触面处形成了一个电场,称为内建电场。其方向是从N区指向P区。电场两端存在着电位差,称为接触电位差扯茄夏。由于
PN结
对载流子的扩散具有阻止作用,所以有时也称PN结为“阻挡层”;内建...
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