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p型掺杂元素
p型
半导体的
掺杂元素
是?
答:
【答案】:B 在硅(Si)单晶中掺入硼(B),形成的是
p型
半导体;掺入磷(P),形成的是型半导体。硼(B)的价电子带都只有三个电子,是受主杂质,电子能够更容易地由硅(Si)的价电子带跃迁到硼传导带。在这个过程中,由于失去了电子而产生了一个正离子,因为这对于其它电子而言是个“空位”,所以通常...
p型
半导体掺入几价
元素
?
答:
p型
半导体掺入3价
元素
。是硼、铟、镓等。在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的
P型
半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。要产生较多的空穴浓度就需依赖
掺杂
或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。对于Ⅳ...
P型
半导体中
掺杂元素
的影响是什么?
答:
P型
半导体:
掺杂元素
: P型半导体通常是由硅等半导体材料与三价元素(如铝、硼等)的掺杂形成的。这些三价元素称为“杂质”或“施主”。性质: 在P型半导体中,由于掺杂元素添加了少量的“空穴”(正电荷),因此它的主要载流子是正电荷载流子(空穴)。空穴相当于电子缺陷,在外部电场的作用下,空穴会...
n型掺杂与
p型掺杂
有何区别?
答:
1、载流子类型区别:n型掺杂中,被引入的外来
元素
(磷或砷)会提供额外的自由电子,成为主要载流子。自由电子负责在导体中传递电荷。
p型掺杂
中,被引入的外来元素(铝或硼)会创造缺少一个电子而形成空穴(带正电),成为主要载流子。空穴可以看作是原本存在但缺失了一个负电荷。2、形成原理区别:n型掺...
在
P型
半导体材料中,
掺杂
物被称为什么
答:
掺入少量杂质硼
元素
(或铟元素)的硅晶体(或锗晶体)中,由于半导体原子(如硅原子)被杂质原子取代,硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候,会产生一个“ 空穴”,这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”,使得硼原子成为带负电的 离子。这样,这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”...
P型
和N型的单晶硅片有什么不同?
答:
1.
掺杂
材料不同:
P型
和N型单晶硅片中,掺杂的材料不同。P型单晶硅片中掺杂的是三价
元素
(如硼或铝),掺杂后形成的杂质原子会失去一个电子,留下一个空位或“空穴”。而N型单晶硅片中掺杂的是五价元素(如磷或砷),掺杂后形成的杂质原子会多余一个电子,成为自由电子。2. 负载载流子类型不同:...
半导体中的
p型
和n型代表什么意思?
答:
半导体中的
P 型
和 N 型是指掺杂有不同类型杂质的半导体材料。在晶体管和其他半导体器件中,这些掺杂区域被用来创建 PN 结,这是一种电子器件,它能够控制电子流。P 型半导体通常是硼等三价
元素掺杂
到硅或锗等四价元素的半导体中形成。掺杂后,杂质原子会带入一个少一个电子的空穴,这些空穴是带正...
【半导体基础/器件】11
掺杂
的化学键解释+能带图解释(非本征半导体)_百度...
答:
p型掺杂
的是Ⅲ族
元素
,靠近价带的杂质能级都是空的,我们可以认为一个空位就是一个空穴。在T=0K时,没有电子从价带激发到杂质能级,能级 Ea 上都是空的(也就是空穴没有获得足够的能量从杂质能级激发到价带),不会导电;T>0K时,硅共价键的价电子中的一部分电子就会获得足够的能量,从价带 Ev ...
镓砷(GaAs)的半导体类型,无论是
P型
还是N型,取决于什么?
答:
镓砷(GaAs)的半导体类型,无论是
P型
还是N型,取决于添加到镓砷中的
掺杂元素
。掺杂是将微量的杂质元素添加到半导体材料中,以改变半导体的电子结构和电导率的过程。一般来说,如果我们要将镓砷变为N型半导体,添加属于V族元素(比如磷、砷、锑等)的元素,因为这些元素有五个价电子,多出的一个电子...
P型
半导体为什么带正电呀?
答:
掺杂之后
掺杂元素
代替原来Si原子的位置,从而使其周围的Si原子多出了一个未成键的电子,半导体内能量较高的电子容易被这个Si原子俘获,而这个电子离开的位置留下一个空位,这就是所谓的空穴。由此可见,
p型掺杂
并未引入电荷,而只是造成半导体内部电荷的转移,因此p型半导体是电中性的。
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