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n型晶体管工作原理
晶体三极管
主要类别
答:
然后接触基极。如果黑表笔接触基极时,电路导通,这就表明三极管的基极是P型材料,因此三极管是NP
N型
。反之,如果红表笔(因为黑表笔是正极,红表笔通常代表负极)接触基极导通,说明基极是N型,对应的三极管就是PNP型。通过这种简单直观的方法,你可以轻松识别出
晶体三极管
的类型。
场效应管又称为单极性管,因为什么
答:
比如结型场效应管同样有
N型
半导体和P型半导体构成,按理说肯定同时存在多子和少子问题,因为P和N型半导体肯定同时存在多子好少子的,那么这些少子跑哪里去了?请教大家 晶体管从结构上可分为两种:单极
型晶体管
和双机型晶体管。首先,要弄清楚两种晶体管的
工作原理
。双极型晶体管中,以NPN管为例,发射区...
双极
晶体管
的
工作原理
答:
NP
N型
双极性
晶体管
可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常
工作
状态下,基极-发射极结(称这个PN结为“发射结”)处于正向偏置状态,而基极-集电极(称这个PN结为“集电结”)则处于反向偏置状态。在没有外加电压时,发射结N区的电子(这一区域的多数载流子)浓度大于P区的电子...
双极性
晶体管
的结构
答:
晶体管的内部结构决定了它适合在正向放大区
工作
,所以反向工作区的共基极电流增益和共射极电流增益比晶体管位于正向放大区时小得多。这种功能上的不对称,根本上是缘于发射极和集电极的掺杂程度不同。因此,在NP
N型晶体管
中,尽管集电极和发射极都为N型掺杂,但是二者的电学性质和功能完全不能互换。发射...
MOSFET-P和MOSFET-
N
区别在那里?谢谢了
答:
MOSFET-P和MOSFET-
N
的区别:1、MOSFET-P是P沟道,MOSFET-N是N沟道;2、为了能正常
工作
,NMOS管外加的Vds必须是正值,开启电压VT也必须是正值,实际电流方向为流入漏极。而与NMOS不同,PMOS管外加的Vds必须是负值,开启电压VT也必须是负值,实际电流方向为流出漏极。N沟道和P沟道MOSFET分为增强型和...
单电子
晶体管
的
原理
答:
F (10-15法拉)。当外加电压时,如果电压变化引起量子点中电荷变化量不到一个电子的电荷,则将没有电流通过。直到电压增大到能引起一个电子电荷的变化时,才有电流通过。因此电流-电压关系不是通常的直线关系,而是台阶形的。这个实验在历史上第一次实现了用人工控制一个电子的运动,为制造单电子
晶体
...
谁知道CPU中的
晶体管
的
工作原理
?
答:
晶体管
能够基于输入电压控制输出电流,与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电信号来控制自身的开合,所以开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。由于其响应速度快,准确性高,晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能,包括放大,开关,稳压,信号调制和振荡器。
半导体
工作原理
答:
4.4.1 晶体管的
工作原理晶体管
三个极电流与内部载流子电流的关系: 共发射极直流电流放大倍数:共基极直流电流放大倍数:换算关系:晶体管的放大能力参数 晶体管的极电流关系 描述:描述: 4.4.2 晶体管的伏安特性 一,输出特性 放大区(发射结正偏,集电结反偏 )共发射极交流电流放大倍数:共基极交流电流放大倍数:近似...
IGBT模块的
工作原理
?
答:
IGBT
工作原理
:IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP
晶体管
的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。由此可知,IGBT的安全可靠与否...
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