66问答网
所有问题
当前搜索:
BJT和MOS的区别
简述双极性器件
和MOS
型器件的工作原理有何
不同
?为什么数字集成电路...
答:
BJT是电流控制电流器件,而且是双极性器件:载流子包括空穴和自由电子;MOS管是电压控制电流器件
,是单极性器件:载流子是空穴(P沟道)或自由电子(N沟道),而且工艺上它的集成度可以做得很高;
BJT比MOS的开关速度要快,但功耗也要大些
,MOS管的开关速度慢些,但功耗非常小;以前BJT管用得多,但现在MOS也...
什么是单极型晶体管和双极型晶体管?
答:
一、单极型晶体管 单极型晶体管,如金属-氧化物-半导体(
MOS
)晶体管,仅依赖一种载流子运作。在这种晶体管中,由于场效应的作用,半导体材料中的多数载流子(电子或空穴)负责主要导电功能。因此,这类晶体管被称为单极型晶体管。二、双极型晶体管 双极型晶体管,全称为双极型三极管(
BJT
),是一种固体...
为什么双极型晶体管的速度比
MOS
管高?
答:
因为器件的速度主要决定于对电容的充放电时间常数,这与电容本身的大小有关,也与电流的大小有关。一般,
BJT的电流较大于MOSFET
,所以BJT的速度高于MOSFET。不过现在MOSFET的尺寸已经大大缩小了,相应的电容也得到很大减小,所以,即使充电电流不大,其对电容的充放电时间常数也可能很短,所以这时BJT的速度就...
三极管,
MOS
管如何工作的问题
答:
NPN、PNP是双极型晶体管(BJT)的类型; 而MOS是场效应管
,类型分为N沟道的NMOSFET、P沟道的PMOSFET,还有结型的JFET。BJT与FET,BJT与MOS,在工作原理以及器件结构上都完全不同。BJT是通过BE结正向偏置,由发射极E向基区注入载流子(电子或空穴),基区宽度小于载流子扩散长度。然后集电结反向偏置,...
求告知,
mos
管和三极管
的区别
是啥
答:
mos是电压控制器件,栅源电压到达
mos的
开启电压时,漏源便导通了,mos的放大能力很弱,所以一般用作开关,当然结型场效应管J-FET有明显的电流放大作用。三极管中还有一种,名为IGBT,它是有一个mos作为开启管,一个
BJT
作为功率管复合而成的三极管,它的特点就是可以承载上千安培的电流,且电阻比mos和...
为什么说
BJT
比
MOS
更容易受温度影响
答:
因为双极型晶体管的输入阻抗远远低于
MOS
管,如果把
BJT
放在前边,整个电路的输入阻抗会大大降低,对信号源的要求就要大大提高,测量处理高阻抗信号时就会出现失真、误差。
与BJT
放大电路相比,MOSFET偏置电路
有什么
特点
答:
MOSFET是电压型控制器件,它的栅极电压决定着它的电流,
不同的
mosfet特性也不同,增强型、耗尽型的控制电压不同。这样一来,
mos的
偏置需要一个准确的栅极电压,而偏置电流却很低,偏置电阻可以取到很大,这样
MOS的
输入阻抗也会很高。D、S极与三极管略同。相比于IGBT和
BJT
耐冲击性好,故障率低.由于电导...
为什么
mos
管的输入电阻很高?
答:
当
MOS
管工作在截止状态下时,其输入电阻很高。相对于
BJT
,MOS管的输入电阻很高具有以下优点:MOS管的输入电阻很高,使得其输入信号源驱动能力强,可以连接更多的负载。MOS管的输入电阻很高,可以减少输入信号源的电流消耗,降低功耗。MOS管的输入电阻很高,可以减少外部元器件的干扰,提高电路的抗干扰能力。
三极管开关电路
与
场效应管电路有哪些
不同
答:
双极型三极管
BJT与
场效应管FET电路主要
区别
体现在以下方面:①制程工艺
不同
,结构不同,也导致了成本不同。②导电的载流子不同 ③电气参数不同。以下详述:①制程工艺不同 双极型三极管BJT与场效应管FET的物理结构如图所示:由图中看出,BJT是垂直结构,MOSFET是水平结构。②导电的载流子不同 金属氧化物...
MOS
管作为开关和晶体管作为开关使用时两者
的区别
?可以用晶体管替代MO...
答:
1. MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是一种电压控制型半导体器件,具有高输入阻抗和低功耗的特点。2. 晶体管(通常指双极型晶体管
BJT
)是一种电流控制型半导体器件,其输入阻抗相对较低,且对前级电路的影响较大。3. 尽管
MOS
管和晶体管均可作为开关使用,但在电路设计时,通常更倾向于使用MOS...
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
涓嬩竴椤
灏鹃〉
其他人还搜
mos管和igbt的区别
MOS差分对和BJT差分对的区别
bjt和mos噪声大小
场效应管和BJT区别
MOSFET比BJT相比有哪些优点
bjt和mos管的噪声比较
mos和bjt速度
bjt和mos管有什么区别
BJT和MOS哪个带负载能力强