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130nm光刻机干什么用
半导体设备系列-
光刻机
答:
光刻是指光刻胶在特殊波长光线或者电子束的作用下发生化学变化,通过后续曝光、显影、刻蚀等工艺过程
,将设计在掩膜版上的图形转移到衬底上的图形精细加工技术。激光器作为光源发射光束,经过光路调整后,光束穿透掩膜版及镜片,经物镜补偿光学误差,将图形曝光在带有光刻胶的硅晶圆上,然后显影在硅片上。2...
忧虑于中半导体进步,阿斯麦不顾美国禁令,表态可向中出口
光刻机
答:
光刻机顾名思义就是用光进行雕刻,而光的波长越短,光刻的刀锋越锋利,刻蚀出的芯片精度就越高。DUV
光刻机用
的是193nm深紫外光,一般可用来雕刻
130nm
到22nm的芯片,而中国在这方面有黑 科技 ,理论上能将其极致推到7nm,而EUV使用的是13,5nm的极紫外光,可以雕刻22nm到2nm的芯片,EUV只有阿斯麦...
上海微电子装备有限公司的产品介绍
答:
精密温控系列—光刻机、刻蚀机应用SMEE为集成电路行业提供多种超/高精度温度控制装置
,可分别用于半导体前道设备中的扫描光刻机和各种用途的刻蚀机等设备的精密温度控制,也可应用于精密光学、仪器、精密机床制造及各种科学实验场所。温度精度可达0.01℃,控温范围可达-30℃至90℃。精密温度控制解决方案SMEE...
忧虑于中半导体进步,阿斯麦不顾美国禁令,表态可向中出口
光刻机
答:
3.
光刻机
技术分为DUV(深紫外)和EUV(极紫外)两种。波长越短的光刻机能够刻蚀出更精细的芯片。DUV光刻机能生产
130nm
至22nm的芯片,而中国技术理论上可将其精度提升至7nm。EUV光刻机使用13.5nm的极紫外光,能生产22nm至2nm的芯片,目前只有阿斯麦能制造。4. 阿斯麦的首席财务官曾暗示,公司可以...
有谁能具体解释一下台积电,台联电
答:
但台积电领先了竞争对手一步。台积电成立于1987年,现在拥有7座200mm晶圆厂和2座300mm晶圆厂。目前它的最好生产技术是
130nm
- 使用了low-k 绝缘材料的8层铜互连技术,晶体管的门宽为80nm。这与其它对手来说毫不逊色,并且早在2000就开始 投产了,其中成功生产的产品有VIA C3。
Cpu纳米越大越好还是越小越好?
答:
CPU纳米指的是制程工艺,也就是
光刻机
在硅晶片上的制程技术。随着技术提升由90纳米到65到45,越来越小的核心,比如45纳米就比65纳米先进,制程越先进就越能缩小晶体管的体积,相同面积的晶圆就能集成更多的晶体管,从而提升性能,也能有效降低功耗和发热量。现在最新的CPU已经到了32纳米。纳米技术是用...
90
nm光刻机
能
做啥
样的手机?
答:
您提起的上海那家公司是上海微电子装备有限公司,截止现在(2020/06/13)这家公司最先进的
光刻机
确实是90纳米的水平。但是不管是苹果和安卓,都没有经过90纳米的过程,第一代和第二代iPhone的CPU是ARM11,使用的是
130
纳米的工艺,第三代的iPhone3GS已经用上65纳米的工艺。到了iPhone4时已经用上45纳米...
汞灯的波长分对应的频率
答:
光刻机
通常使用滤波器只允许G线或I线通过。I线光成为亚微米时代的首选曝光源。I线的波长是365
nm
(0.365ILm),它和0.35 ym的产品尺寸接近。在实际生产中,要想制作出比曝光波长还小的图形是很难的。还有另外一种深紫外( DUV)光源,它就是受激准分子激光器。以下气体激光器和它们的发光波长分别...
专注于国产光核机是哪只股票?
答:
2020年2月,公司在互动易平台披露,公司KRF
光刻机
能支持96层3DNAND用光刻胶研究,及250nm、
130nm
工艺制程逻辑电路用光刻胶研究。公司正在加快开发第三大核心技术——光刻技术,在集成电路制造用ArF干法、KrF厚膜胶、I线等高端光刻胶领域已有重大突破。同时,积极布局半导体硅片、半导体湿法工艺设备、平板液晶显示用光刻...
我国的军备芯片是14纳米,而美国是5纳米,这有何影响?
答:
1,最大差距不是
光刻机
,而且工艺技术,也就是用光刻机等一系列设备把芯片做出来的水平。你做饭光靠菜刀先进就行了吗?半导体工艺涉及到物理,化学,材料,机械,电子,计算机等多学科的模拟,计算和实践应用。你操作设备做工艺报出来的是信号和数据,工程师需要对数据进行分析,再设计实验,调整参数。...
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