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高掺杂硅片电阻率
半导体的
电阻率
范围
答:
半导体材料的电阻率范围是在10^-3到10^7Ω·cm之间
。这个范围相对于绝缘体和导体来说介于两者之间。纯净的半导体材料,如硅(Si)和锗(Ge),具有较高的电阻率,在10^2到10^6Ω·cm之间。这意味着它们在室温下的导电能力相对较弱,被认为是半导体。通过掺杂过程,半导体材料的电阻率可以被显著改变。
硅中
掺杂
的磷越多
电阻率
越小吗
答:
纯硅有晶态和无定形两种形式,结晶硅又称金属硅或工业硅,
电阻率
为2140Ω.m,而无定形硅则具有高绝缘的特性,参杂后的晶片的电阻则要看所掺入的物质,以及掺入物质的类型和质量有关,P型晶片掺入的是3族元素,N型晶片掺入的是5族元素,一般来说,掺入杂质的质量越多,单位体积内形成的载流子就越多,则...
电阻率
与
掺杂
浓度有什么关系?
答:
查表可得该
掺杂
条件下电子迁移率μn=1400,多数载流子浓度n=1.0×10的十七次方,代入
电阻率
公式可以得到ρ=1/nqμn=0.045Ω·cm 可以发现,在掺杂施主杂质后,电阻率减小了很多
硅片电阻率
多少比较合适,过大或过小有什
答:
1.一般硅片是P形硅片,标准是1-3Ω*cm 2.
电阻率
过大说明
硅片掺杂
偏少,或者硅片基体含有补偿性杂质,如磷、氧等施主元素偏多。前者导致开压Voc低,短路电流Isc高,转换效率Eta不好说;后者不仅开压低而且短路电流低,转换效率一定低。3.电阻率过小说明硅片掺杂B偏多,或者硅片基体含有金属杂质偏多,...
电阻率
的大小对单晶硅的影响
答:
也需要采用
电阻率
小的N型单晶硅,以提高发光效率。6. 通过
掺杂
可以控制单晶硅的电阻率大小。一般N型掺杂使电阻率减小,P型掺杂使电阻率增大。7. 电阻率也会随温度发生变化,在设计和应用中需要考虑温度特性。所以电阻率是决定单晶硅应用领域的最关键参数之一。必须按需求控制单晶硅的电阻率。
室温下,硅
掺杂
质半导体是否存在最大
电阻率
?若存在,试求之(假设迁移率不...
答:
室温下,硅有确定的本征载流子浓度。也即有确定的
电阻率
。在
掺杂
的情况下,掺杂的浓度会远大于本征载流子浓度。则硅的电阻率,就完全由杂质浓度来确定。所以,这时硅的最大电阻率就与最低的掺杂浓度有关。用最低的掺杂浓度代表载流子浓度来计算,得出的就是最大电阻率值。(供参考)
碳化硼
掺杂
在硅中导电会不会提高
答:
碳化硼
掺杂
在硅中导电会提高。碳化硼是一种宽禁带半导体材料,具有
高电阻率
和优良的热稳定性,是制备高温晶体管、集成电路和太阳能电池等器件的理想材料之一。将碳化硼掺杂到硅中,可以形成碳化硅复合材料,这种材料具有高导电性能和良好的高温稳定性。在高温条件下,碳化硅复合材料可以保持较高的载流子迁移率...
半导体热导率为什么会随着
掺杂
浓度的增加而上升
答:
(2)
掺杂
程度:固态半导体的掺杂程度会造成电导率很大的变化。增加掺杂程度会造成高电导率.水溶液的电导率高低相依于其内含溶质盐的浓度,或其它会分解为电解质的化学杂质。水样本的电导率是测量水的含盐成分、含离子成分、含杂质成分等等的重要指标。水越纯净,电导率越低(
电阻率
越高)。水的电导率时...
什么是外延工艺?
答:
;在工业生产中经常要求片内膜厚及电性的均匀度<1.5%(1σ),对
硅片
厂家来说经常还要考查外延层的扩展
电阻率
曲线(SRP)以确定是否有污染存在及污染物杂质的量。特别地,对于SiGe工艺我们经常还需要测量Ge的含量及其深度分布,对于有
搀杂
的工艺我们还需要知道搀杂原子的含量及深度分布。另外晶格缺陷(defect)...
介绍下半导体的
掺杂
问题?
答:
P型半导体的导电特性:掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能也就越强。结论:多子的浓度决定于杂质浓度。少子的浓度决定于温度。PN结的形成:将P型半导体与N型半导体制作在同一块
硅片
上,在它们的交界面就形成PN结。PN结的特点:具有单向导电性。半导体杂质 半导体中的杂质对
电阻率
的影响...
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