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霍尔电动势是怎么产生的
简述
霍尔电动势产生的
原理
答:
1、霍尔电动势产生的原理是当一块半导体薄片置于磁场中有电流流过时,电子将受到洛伦兹力的作用而发生偏转
,在半导体薄片的另外两端将产生霍尔电动势。2、由霍尔效应的原理知,霍尔电势的大小取决于:Rh为霍尔常数,它与半导体材质有关,IC为霍尔元件的偏置电流,B为磁场强度,d为半导体材料的厚度。对于...
霍尔电势是如何产生的
?
答:
当电流垂直于外磁场通过半导体时,载流子发生偏转,垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场
,从而在半导体的两端产生电势差,这一现象就是霍尔效应。霍尔电动势的影响因素如下:由霍尔效应的原理知,霍尔电势的大小取决于:Rh为霍尔常数,它与半导体材质有关;IC为霍尔元件的偏置电流;B为磁场强度;d为半导体...
霍尔电动势怎么产生的
?
答:
霍尔电动势是指在导体中通过磁场垂直于导体截面的方向,会在导体两侧产生一定大小的电势差
,这个现象称为霍尔效应。而霍尔电动势与控制电流I和磁感应强度B之间有如下关系:霍尔电动势与控制电流I成正比。当控制电流I增大时,霍尔电动势也随之增大。霍尔电动势与磁感应强度B成正比。当磁感应强度B增大时,霍...
霍尔电动势
与哪些因素有关
答:
霍尔电势和半导体材质、霍尔元件的偏置电流、半导体材料的厚度、磁感应强度有关
。霍尔器件是一种利用霍尔效应的固态电子器件。E.H.霍尔于1879年发现:一块矩形导体或半导体材料在磁感应强度为Bz的磁场中,在垂直于磁场的方向有电流Ix通过试件,在既垂直于磁场Bz、又垂直于电流Ix的方向将产生电场Ey,这就...
霍尔
效应
是如何产生的
?
答:
霍尔效应是一种磁敏效应
,一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场,则在宽度Y方向上会产生电动势UH,这种现象即称为霍尔效应。UH称为霍尔电势,其大小可表示为:UH=RH/d*IC*B (1)式中,RH称为霍尔系数,由导体材料的性质决定;d为导体材料的厚度,IC为电流强度,B为磁感应强度。...
霍尔器件
霍尔电动势
答:
当在电极1和2之间施加恒定电压Ui时,
霍尔
效应会
产生
一个与磁场强度相关的电动势。这个
电动势的
数学表达式可以表示为:UH = (Ui * μB) * (Kw/l)其中,Ui代表两个电流电极之间的电压差,μ是试件内部载流子(如电子或空穴)的迁移率,它反映了载流子在电场作用下的移动能力。w和l分别是试件的宽度...
什么是
霍尔电势
?
答:
霍尔电势是
指当磁场中的导体或半导体受到垂直于磁场方向的电流通过时,在垂直于电流和磁场的方向上会
产生
电动势的现象。这种现象是由美国物理学家霍尔于1879年发现的,因此被称为霍尔效应。霍尔电势的大小取决于磁场和电流的强度,以及霍尔系数(衡量材料对霍尔效应敏感程度的物理量)。在半导体中,霍尔电势...
什么是
霍尔电动势
?
答:
在半导体薄片两端通以控制电流I,并在薄片的垂直方向上施加磁感应强度为B的磁场,那么,在垂直于电流和磁场的方向上将
产生电势
UH(称
为霍尔电势
电压),这种现象称为霍尔效应 。
霍尔电动势的
大小正比于控制电流和磁感应强度。如果流过的电流越大,则电荷量就越多,霍尔电动势越高;如果磁感应强度越强,电子...
霍尔
传感器原理霍尔传感器原理介绍
答:
1、半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中,磁场方向垂直于薄片。当有电流I流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将
产生电动势
eh,这种现象称为霍尔效应,该电动势称
为霍尔电势
,上述半导体薄片称为霍尔元件。2、原理简述如下:激励电流I从a、b端流入,磁场B由正上方作用于薄片,这时电子e的运动方向与...
产生
霍耳元件的不等位
电动势的
原因有哪些?有哪些补偿方法
答:
霍尔
传感器是基于霍尔效应的一种传感器。1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应,但是由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。随着半导体技术的发展,开始用半导体材料制作霍尔元件,由于他的霍尔效应显著而得到应用和发展。霍尔传感器是一种当交变磁场经过时
产生
输出电压脉冲的传感器。脉冲的...
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