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锗片外延
突发!商务部决定对镓、
锗
相关物项实施出口管制!
答:
商务部与海关总署于2023年7月3日联合发布公告,决定对镓、
锗
相关物项实施出口管制。未经许可,不得出口涉及以下物项:镓相关物项:金属镓(包括单质)、氮化镓(晶片、粉末、碎料等)、氧化镓(多晶、单晶、晶片、
外延片
、粉末、碎料等)、磷化镓(多晶、单晶、晶片、外延片)、砷化镓(多晶、单晶、...
什么是
外延
工艺?
答:
外延
(Epitaxy, 简称Epi)工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料,外延层可以是同质外延层(Si/Si),也可以是异质外延层(SiGe/Si 或SiC/Si等);同样实现外延生长也有很多方法,包括分子束外延(MBE),超高真空化学气相沉积(UHV/CVD),常压及减压外延(ATM & RP Epi)等等。本文仅...
国内生产铌酸锂晶体的公司
答:
3. 厦门博威先进材料有限公司自1990年香港注册以来,产品业务覆盖了GaN外延片、SiC外延片、GaAs外延片、化合物半导体、
锗外延片
、CdZnTe外延片、硅外延片以及LNOI外延片等。4. 天通控股股份有限公司自2016年起开始铌酸锂和钽酸锂晶体的生产研发与销售,在国内市场中技术领先并拥有产能优势。铌酸锂薄膜作为产业...
白元根主要业绩
答:
1961年,白元根引领团队成功研制了我国第一块集成电路0515
锗
全加器,其技术水平与世界首块锗振荡器相当。随后,他在1962年研发出硅
外延片
,1965年开发出硅电路介质隔离技术并应用于国防项目。1975年,他提出的BIMOSIC方案及攻克的相容工艺技术,使国内首次生产出BIMOS高速集成电路,这一成果在1978年获得了...
碳化硅
外延
晶片的概念是什么?
答:
碳化硅外延晶片即以碳化硅单晶作为衬底生长的
外延片
。使用领域、行业:外延晶片主要用于各种分立器件的制作,比如SBD、MOSFET、JFET、BJT、SIT和MESFET等,这些器件广泛应用于各个领域,如白色家电、混合及纯电动汽车、太阳能和风能发电、UPS、马达控制、轨道机车、轮船和智能电网等。对了,碳化硅外延晶片属于...
信息化学品制造的产品分类
答:
3. 电子半导体材料:这是电子工业的基础材料,包括单晶硅切片、多晶硅切片、硅
外延片
、单晶锗、
锗片
、铌酸锂单晶、钽酸锂单晶闹此、砷化镓单晶、砷化镓外延片及其他掺杂用于电子工业的化学物戚腔。4. 感光乳液、液晶材料、萤光粉、消气剂、光刻胶:这些材料在显示技术、电子设备和其他高科技领域中扮演着...
有谁知道接触器的商标分类?我知道0913,但具体编号请教了。
答:
我帮您找到了,参考下,0913 电器用晶体及碳素材料,电子、电气通用元件 (一)方铅晶体(检波器)090271, 晶片(
锗片
)090584,半导体090539 ※单晶硅C090065, 硅
外延片
C090066, 石英晶体C090067, 多晶硅C090068, 硒堆和硒片C090069, 电阻材料C090070, 碳素材料C090071, 碳电极C090072, 石墨...
衬底片几何参数国家标准
答:
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会,关于衬底片的标准 GB/T 37053-2018 氮化镓
外延片
及衬底片通用规范 国家质检总局,关于衬底片的标准 GB/T 36705-2018 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法 GB/T 32188-2015 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 GB/T 31352-2014 蓝...
直流四探针法测量电阻率的基本原理是什么?
答:
的电力行业标准为依据,根据有源电桥的原理研制成功的一种新型电阻率测定专用仪器。具有结构简单、线性度好、灵敏度高、测试结果稳定、操作安全等优点,其性能远高于通常的电压电流法。仪器由参数测量系统、油杯加热控温系统两部分组成,具有自动计时、液晶显示功能。可测量绝缘油体积电阻率。
半导体材料的应用有哪些
答:
- 大多数半导体器件是基于单晶片或
外延片
制造的。- 单晶生长常用方法有直拉法、磁控拉晶法、液封直拉法、悬浮区熔法等。6. 外延技术:- 外延是在单晶衬底上生长单晶薄膜的技术,用于制造特定性质的半导体器件。- 外延方法包括气相外延、液相外延、固相外延、分子束外延等。7. 薄膜制备:- 非晶、微晶、...
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