66问答网
所有问题
当前搜索:
本征载流子浓度与温度的关系
本征载流子
的
与温度的关系
答:
本征载流子浓度
ni
与温度
T和禁带宽度Eg
的关系
为(与杂质无关)ni = (NcNv)^(1/2) exp[-Eg/(2kT)]在室温下,Si的ni=1.45×10^10cm-3,GaAs的ni=1.79×10^6cm-3。由于本征载流子浓度ni随着
温度的
升高而指数式增大,故在足够高的温度下,对于掺杂的半导体,在较高温度下,本征载流子浓度也...
本征载流子浓度与
哪些因素有关?
答:
1、与温度有关,同样材质的半导体,温度越高,热激发越强烈,本征载流子浓度越高
2、与禁带宽度有关,同样的温度下,禁带宽度越窄,电子或空穴更容易从价带跃迁到导带,本征载流子深度越高。
当
温度
升高时,
本征
半导体中
载流子的浓度
:A. 自由电子浓度增大,空穴浓度...
答:
载流子的浓度是和Nc、Nv成正比,尤其是指数项exp(-Eg/2kT)所以对于一定的半导体材料,
其本征载流子浓度是随温度的升高而迅速增加
。
分析
本征
半导体电阻率与
载流子浓度
迁移率
和温度有什么关系
答:
决定 电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系
。在低温下:由于 载流子浓度指数式增大(施主或 受主杂质不断电离),而迁移率也是增大的(电离杂质散射作用减弱之故),所以这时 电阻率随着温度的升高而下降。在 室温下:由于施主或 受主杂质已经完全电离,则 载流子浓度不变,但迁...
本征载流子浓度
随着
温度的
升高而()
答:
本征载流子浓度
随着
温度的
升高而()A.增大 B.减少 C.不变 D.指数增加 正确答案:增大
温度
如何影响杂志半导体的
载流子浓度
答:
温度
升高,
载流子浓度
升高,空穴和电子会变化一样的,这样才能保证高温下半导体仍然是
本征
半导体。
si的
本征载流子浓度
是多少
答:
1乘以1010厘米负3。在室温下,Si的
本征载流子浓度
等于1乘以1010厘米负3,由于本征载流子浓度ni随着
温度的
升高而指数式增大,故在足够高的温度下,对于掺杂的半导体,在较高温度下,本征载流子浓度也都将大于杂质所提供的载流子浓度。
为什么
本征
激发占主要地位,器件就不能工作?
答:
本征载流子浓度与温度
呈正相关
关系
,
温度的
升高导致载流子浓度急剧上升。如果本征载流子浓度高于掺杂杂质浓度,材料整体变为本征材料,pn结消失。举例来说,一个普通的整流pn结,p区掺杂三族杂质,n区掺杂五族杂质。在500K左右的温度下,如果本征载流子浓度超过一定阈值,两种类型的材料都变成本征材料。此时,...
温度
变化
载流子
数目变化吗?
答:
温度
变化时候,载流子数目肯定变化。少子与多子变化数目不相同。 因为少子
浓度和
多子浓度的乘积等于
本征载流子浓度的
平方。二者和不是定值,积是一个定值。在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质,可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。制备...
为什么
温度
对二极管正向特性影响小,而对反向特性影响很大?
答:
这个问题与器件物理有关,如果没有学习过器件物理的话就较难理解。简单说来,因为反向电流与
本征载流子浓度
的平方成正比,而本征载流子浓度是随着
温度的
升高而指数式增大的,所以温度对反向电流的影响很大。正向电流本来就很大,虽然温度的升高也将使电流增大,但这种影响较小。
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
涓嬩竴椤
灏鹃〉
其他人还搜
室温下si的本征载流子浓度
室温下本征载流子浓度
硅载流子温度曲线
温度升高载流子浓度怎么变化
掺杂浓度与温度
半导体迁移率计算公式
载流子浓度和电阻率
低温怎么影响半导体迁移率
半导体电阻率与载流子浓度