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多晶硅栅极为什么要掺杂
在mos器件中,
为什么
用
掺杂
的
多晶硅
作为栅电极
答:
多晶硅可以通过调整掺杂浓度来调整MOS器件的RG,达到控制RG作用
;多晶硅的功函数也可以调整,以此调整MOS器件的阈值电压;多晶硅的熔点比大多数金属高,工艺制程中的多晶硅的温度受限小;多晶硅与二氧化硅的接触面的缺陷情况比较好。
[模拟电路] 1 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的物理基础...
答:
MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是电子学中一种关键器件,其基本结构包括p型硅衬底上的两个n型区域(源和漏),由金属或重
掺杂多晶硅栅极
控制,栅极与衬底间由二氧化硅薄膜隔离,形成了沟道。MOSFET的工作原理主要依赖于半导体中的载流子浓度和能带结构。1. 载流子浓度由量子力学中的状态密度公式...
低温
多晶硅
型TFT元件结构和制程
答:
LTPS TFT元件结构主要分为N型和P型两种类型。N型TFT的特点在于采用低掺杂型漏极(LLD),
目的是为了有效降低元件的漏电流,从而提升其性能
。在LTPS TFT的制程过程中,总共需经过九道精细的掩膜步骤。首先,第一道掩膜用于定义元件的核心区域,即元件的主动区。接着,第二道掩膜通过离子注入技术,调整N...
半导体蚀刻POLY主要成分是
什么
?
答:
polysilicon gate
多晶硅栅极
简称poly gate,就是MOS管用多晶硅做栅极,用氧化硅做绝缘层,gate poly应该是指做栅极的多晶硅材料
MOS管的源极,漏极,
栅极
是不是联通的,电流是
什么
走向?
答:
栅极
控制源极和漏极间的电流,MOS导通后源和漏之间形成沟道,电流可以在沟道中流动,n管是漏流向源,p管相反。而MOS栅极一端是
多晶硅
,绝缘的,没电流,只是控制沟道电流的大小,就像水龙头一样。
多晶硅
属于导体还是绝缘体?
答:
它是半导体啊,也就是根据条件的变化,能同时显现出导体与绝缘体两种性质。当
栅极
加电压之后,会发生载流子本征激发,能导电。对外界,由于制造工艺中的侧墙生长作用,
硅栅
外部生长绝缘氧化膜,能减少漏电流产生。同时,对于P阱和N阱以及金属线,材质上的不用可以很好地起到隔绝电迁移的作用。
多晶硅
哪个岗位工资高
答:
还原控制操作岗位。还原控制操作岗位是出产品的地方,技术要求高,还可以学到
多晶硅
生产技术的关键部分,所以多晶硅还原控制操作岗位工资高。多晶硅也称为poly-Si或poly薄膜广泛用作MOS晶体管
栅极
和MOS电路中的互连,还用作电阻器,以及确保浅结的欧姆接触。
电力mosfet导通条件是
什么
且什么
答:
理论上MOSFET的
栅极
应该尽可能选择电性良好的导体,
多晶硅
在经过重
掺杂
之后的导电性可以用在MOSFET的栅极上,但是并非完美的选择。目前MOSFET使用多晶硅作为的理由如下: 1. MOSFET的临界电压(threshold voltage)主要由栅极与通道材料的功函数(work function)之间的差异来决定,而因为多晶硅本质上是半导体,所以可以借由掺杂不同...
MOSFET详细信息
答:
MOSFET本质上属于绝缘
栅极
场效晶体管(IGFET),其栅极绝缘层可由多种材料,如氧化层(如二氧化硅SiO2)或氮氧化硅SiON。尽管
多晶硅栅
的IGFET常常与MOSFET混淆,但通常提到的IGFET指的是MOSFET类型。MOSFET的通道上方覆盖着极薄的氧化层,厚度仅数十至数百埃。其操作中,通过施加电压在栅极和源极间,会在...
阈值电压是
什么
意思?
答:
栅极
的物质成分 栅极(gate)的物质成分对阈值电压也有所影响。当GATE和BACKGATE短接时,电场就施加在gate oxide上。这主要是因为GATE和BACKGATE物质之间的work function差值造成的。大多数实际应用的晶体管都用重
掺杂
的
多晶硅
作为gate极。改变多晶硅的掺杂程度就能控制它的work function。
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