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元素掺杂无偏移
掺杂
和复合有严格的界限么
答:
掺杂
和复合还是很大区别吧,这个主要是无机非材料的一种晶体结构的调控方式,掺杂的话一般量很少,而且两者直接的离子半径相差不大,掺杂剂会进入基体的晶格中,导致其XRD的峰位发生
偏移
,但是峰位不会发生太大变化,而且是基体对应的峰位。但是复合的话应该会有第二相的XRD峰吧。性质不同:复合材料是两...
工作谱线
偏移
的原因
答:
掺杂
、晶格畸变。XRD峰值向左
偏移
通常是指向小角度偏移,意味着变大,常见是掺入了比主体大的杂原子.出现“掺杂”,杂质原子会使晶胞参数变大或变小;如果左移,说明晶胞参数变大,晶面间距变大;制样时要尽量使样品和样品板相平,制样做出的数据才准确.如样品高于样品板参照面就会使衍射峰左移. 如果不...
为什么P型半导体是半导体中
掺杂
浓度最高的一种半导体?
答:
是由于半导体和掺入的微量
元素
都是电中性的,而
掺杂
过程中既不丧失电荷又不从外界得到电荷,只是在半导体中出现了大量可运动的电子或空穴,并
没有
破坏整个半导体内正负电荷的平衡状态。P型半导体,也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。
什么是空穴
掺杂
化合物
答:
在Ge、Si的单质(原子晶体)中,所有的原子都被束缚在晶格中,所有的价电子(最外层的4个电子)都用来和周围的原子成键。所以这种情况下电子很难在外电场的作用下运动起来,宏观上就表现为物质导电能力很低。
掺杂
之后,掺入的原子仍然被束缚在晶格里,“不得不”和周围的4个Ge、Si原子形成四个共价键...
fe的xps不对怎么回事
答:
样品不均匀、峰校准问题等原因。1、样品不均匀:样品中
掺杂
的Fe含量过低或分布不均匀,导致XPS无法检测到Fe
元素
的峰。2、峰校准问题:XPS的峰位置和强度受化学环境的影响而发生偏移,峰校准不正确,导致检测结果异常。
怎么把握好照片的主题
答:
正面对你和背对你的时候可以假想成是圆柱将人转动到这个位置,所以构图的时候人会在中心位置,当人是左或者右侧面的时候,人的面部正对画面的中心轴上,这样圆柱就将人转动到最左边或最右边,当人是左右前侧身看着你的时候,就假想是圆柱将人转动到了与你形成的这个位置,人的布局就要多少相中心位置
偏移
,这样相对就会...
半导体为什么会导电
答:
是由于半导体和掺入的微量
元素
都是电中性的,而
掺杂
过程中既不丧失电荷又不从外界得到电荷,只是在半导体中出现了大量可运动的电子或空穴,并
没有
破坏整个半导体内正负电荷的平衡状态。P型半导体,也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。
为什么P型半导体是电中性
答:
是由于半导体和掺入的微量
元素
都是电中性的,而
掺杂
过程中既不丧失电荷又不从外界得到电荷,只是在半导体中出现了大量可运动的电子或空穴,并
没有
破坏整个半导体内正负电荷的平衡状态。P型半导体,也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。
P型半导体为什么能大量导电
答:
是由于半导体和掺入的微量
元素
都是电中性的,而
掺杂
过程中既不丧失电荷又不从外界得到电荷,只是在半导体中出现了大量可运动的电子或空穴,并
没有
破坏整个半导体内正负电荷的平衡状态。P型半导体,也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。
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